GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

/—

GBT290552019

代替/—

GBT290552012

太阳能电池用多晶硅片

Multicrstallinesiliconwafersforhotovoltaicsolarcell

yp

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT290552019

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》。/—,

本标准代替GBT290552012太阳电池用多晶硅片本标准与GBT290552012相比除编

辑性修改外主要技术变化如下:

———,“”

修改了适用范围将适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片改为

“()”(,)。

适用于太阳能电池用铸造多晶硅片包括类单晶硅片见第章年版的第章

120121

———/,/、/、

删除了规范性引用文件和增加了

GBT1551SEMIMF1535GBT30860GBT30869

/、/、/、/、//(,

和见第章

SJT11627SJT11628SJT11630SJT11631SJT11632YST2822012

年版的第章)。

2

———,(,)。

删除了密集线痕的定义增加了线痕和微裂纹的定义见和年版的

3.13.220123.1

———,,

修改了边长分类由和改为

125mm×125mm156mm×156mm156.75mm×156.75mm

(,)。

建议边长的增减量为1mm的整数倍见表12012年版的表1

———,、(,

将外形尺寸分类与要求合并并修改了边长厚度及允许偏差的要求见4.12012年版的

、)。

第章第章

45

———、(,)。

修改了总厚度变化弯曲度的要求见4.12012年版的5.2

———、、(、,、、

修改了载流子寿命间隙氧含量代位碳含量的要求见4.2.34.32012年版的5.3.35.3.4

5.3.5)。

———、()。

增加了表面质量中缺口微裂纹的要求见4.4.1

———(,)。

修改了表面质量中崩边缺陷的要求见4.4.22012年版的5.1.2

———、、(

删除了表面质量中的色斑边缘缺陷晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求见2012年版

的、、、)。

5.1.15.1.35.1.45.2

———()。

增加了类单晶硅片的要求见第章

4

———、、(、、,、、)。

修改了组批检验项目取样及检验结果的判定见6.26.36.42012年版的7.27.37.4

———(,)。

修改了包装的要求见7.2.12012年版的8.1.1

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本标准起草单位江苏协鑫硅材料科技发展有限公司镇江仁德新能源科技有限公司江西赛维

、、、

LDK太阳能高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金属技术经济研究院扬州荣德新能源科

、、