T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

T/IAWBS 011-2019 Resistance measurement method for conductive silicon carbide single crystal wafers - Non-contact eddy current method

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基本信息

标准号

T/IAWBS 011-2019

标准类型

团体标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H20/29 金属理化性能试验方法

国际标准分类号（ICS）

29.045 半导体材料

发布日期

2019-12-27

实施日期

2019-12-31

发布单位/组织

归口单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

适用范围

范围:本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/到3000Ω/的范围; 主要技术内容:碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一，关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定，将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力

发布历史

2019年12月

T/IAWBS 011-2019　导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

当前标准现行 2019-12-27

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研制信息

起草单位：: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、国宏中宇科技发展有限公司

起草人：: 张岩、赵然、李龙远、刘素娟、赵子强、郑红军、陆敏、刘春俊、王文军、刘祎晨、林雪如、陈鹏、韩超

出版信息：: 页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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