GB/T 47097-2026 氮化铝单晶抛光片

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T47097—2026

氮化铝单晶抛光片

Polishedmonocrystallinealuminumnitridewafers

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47097—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

分类与牌号

4………………1

技术要求

5…………………2

试验方法

6…………………4

检验规则

7…………………4

标志包装运输贮存及随行文件

8、、、………………………5

订货单内容

9………………6

附录规范性氮化铝单晶抛光片位错密度测试方法

A()………………7

Ⅰ

GB/T47097—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任

:、

公司奥趋光电技术杭州有限公司北京中材人工晶体研究院有限公司江苏第三代半导体研究院有

、()、、

限公司北京大学深圳大学北京大学东莞光电研究院中电晶华天津半导体材料有限公司

、、、、()。

本文件主要起草人张丽何烜坤程红娟王英民贺东江李素青姚康吴亮周振翔王琦琨

:、、、、、、、、、、

齐海涛于彤军武红磊王新强李明达

、、、、。

Ⅲ

GB/T47097—2026

氮化铝单晶抛光片

1范围

本文件规定了氮化铝单晶抛光片以下简称抛光片的牌号与分类技术要求检验规则标志

(“”)、、、、

包装运输贮存随行文件和订货单内容描述了相应的试验方法

、、、,。

本文件适用于微波功率器件用直径为和的抛光片的生产检验及质量评价

25.4mm50.8mm、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

半导体晶片直径测试方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

氮化镓单晶衬底片射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T32188X

氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32189

碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

GB/T32278

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

氮化铝单晶aluminumnitridesinglecrystal

由铝和氮化合而成的单晶半导体材料

(Al)(N)。

32

.

氮化铝单晶的Al面Alfacetofsinglecrystalaluminumnitride

氮化铝单晶的极性晶面

(3.1)Al(0001)。

33

.

氮化铝单晶的N面Nfacetofsinglecrystalaluminumnitride

氮化铝单晶的极性晶面

(3.1)N(0001)。

4分类与牌号

41分类

.

抛光片按要求分为工业级级和研究级级

(P)(R)。

1