GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
GB/T 32189-2015 Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
国家标准
中文简体
现行
页数：11页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2)
适用范围
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。
发布历史
-
2015年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
- 起草人：
- 刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科
- 出版信息：
- 页数：11页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT321892015
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的
原子力显微镜检验法
TestmethodforsurfacerouhnessofGaNsinlecrstalsubstratebatomicforce
ggyy
microscoe
p
2015-12-10发布2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT321892015
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准
SACTC203
化技术委员会材料分会(//)共同提出并归口。
SACTC203SC2
:
定制服务
推荐标准
- HB 5036-1992 镉镀层质量检验 1992-10-04
- SJ/T 10954-1996 电子元器件详细规范 ２ＣＫ１２０型硅开关二极管（可供认证用） 1996-11-20
- HB 3669-1986 加工高温合金通孔普通螺纹的机、手用丝锥 ｄ＝１～３ｍｍ 1986-03-11
- HB 2541-1976 Φ８风钻 1976-04-28
- QJ 1377-1988 铝及铝合金化学氧化溶液分析方法 1988-02-29
- HB 3886-1986 内螺纹第Ⅱ系列工艺底孔用非全形单头止端光滑塞规 Ｍ８２～Ｍ１５０ 1986-10-25
- HB 3123-1987 充气轮 1987-11-23
- GB/T 7717.3-1987 工业用丙烯腈的含量测定 1987-05-09
- SHS 04097-2004 HS401型转向纺丝机维护检修规程 2004-06-21
- YB/T 109.7-2012 硅钡合金 硫含量的测定 红外线吸收法 2012-11-07