GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T32278—2025

代替GB/T30867—2014GB/T32278—2015

,

碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

Testmethodforthicknessandfltanessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2025-08-01发布2026-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T32278—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅单晶片平整度测试方法和碳化硅单

GB/T32278—2015《》GB/T30867—2014《

晶片厚度和总厚度变化测试方法本文件以为主整合了的

》,GB/T32278—2015,GB/T30867—2014

内容与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,GB/T32278—2015,,:

更改了文件的适用范围见第章的第章

a)(1,GB/T32278—20151);

增加了对中术语和定义的引用增加了碳化硅单晶片的术语和定义见第章

b)GB/T14264,“”(3);

删除了局部厚度变化的术语和定义见的

c)“”(GB/T32278—20153.1);

增加了接触式测试方法并将的有关内容更改后纳入见第章

d),GB/T30867—2014(4);

更改了非接触式测试方法的测试光路示意图见的第章

e)(5.1,GB/T32278—20154);

更改了非接触式测试方法的干扰因素新增表面粗糙度的影响引用

f),,GB/T30656、GB/T43885

中关于表面粗糙度的要求见的第章

(5.2,GB/T32278—20156);

更改了非接触式测试方法的试验条件见的第章

g)(5.3,GB/T32278—20157);

更改了非接触式测试方法的仪器设备见的第章

h)(5.4,GB/T32278—20155);

更改了非接触式测试方法的样品要求见的第章

i)(5.5,GB/T32278—20158);

更改了非接触式测试方法的试验步骤见的第章

j)(5.6,GB/T32278—20159);

更改了非接触式测试方法的精密度要求见的第章

k)(5.7,GB/T32278—201510)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位北京天科合达半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所

:、、

山东天岳先进科技股份有限公司安徽长飞先进半导体股份有限公司广东天域半导体股份有限公司

、、、

南京盛鑫半导体材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司浙江晶瑞电子材料有限公司

、、、

连科半导体有限公司长飞光纤光缆股份有限公司派恩杰半导体浙江有限公司

、、()。

本文件主要起草人佘宗静彭同华何烜坤王大军王波杨建贺东江吴殿瑞刘小平刘薇

:、、、、、、、、、、

黄宇程胡动力汪传勇赵文琪黄兴

、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订修订时并入了碳化硅单晶片

2015,,GB/T30867—2014《

厚度和总厚度变化测试方法的内容

》。

Ⅰ

GB/T32278—2025

碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法包括接触式和非接触式测试方法

,。

本文件适用于厚度为直径为的

0.13mm~1mm,50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm

碳化硅单晶片厚度和平整度的测试

。

本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

碳化硅单晶抛光片

GB/T30656

碳化硅外延片

GB/T43885

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳化硅单晶片monocrystallinesiliconcarbidewafers

从碳化硅单晶上切取的具有平行平面的薄片

。

注碳化硅单晶片包括切割片研磨片抛光片等

:、、。

4接触式测试方法

41方法原理

.

采用物理接触的方式进行测量将测量头放置在被测样品的表面施加压力以确保测量头与被测样

,,

品表面良好接触当被测样品的厚度变化时测量头会相应地向内或向外移动测量头的位移通过主

。,。

轴传递到传感器传感器将机械位移转换为电信号并传输到内部的处理电路处理电路对信号进行放

,。

大和转换计算出相应的位移值根据位移值的变化即可得到厚度和总厚度变化的数值

,。。

该方法适用于碳化硅单晶片厚度和总厚度变化的测试

。

42干扰因素

.

421在进行测量时测量头需要施加适当的压力过大的压力可能导致被测样品变形从而影响测

..,。,

量结果因此接触式测量设备应有限位装置以确保施加的测量力在合理范围内

。,。

422样品表面的洁净度对测试结果有影响测试前样品应经过清洗确保样品表面洁净

..,,。

423载物台的平整度会影响被测样品与测量头之间的接触从而影响测量精度因此在使用前确保

..,,,

1