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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 32278-2025 | 页数：8页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 30867-2014
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H83 化合物半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。

发布历史

文前页预览

GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法-第1页
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法-第2页
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法-第3页
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人：
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
出版信息：
页数：8页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS29.045

H83

中华人民共和国国家标准

/—

GBT308672014

碳碳化硅单晶片厚度和总厚度

变化测试方法

Testmethodformeasurinthicknessandtotalthicknessvariationof

g

monocrstallinesiliconcarbidewafers

y

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

碳化硅单晶片厚度和总厚度

变化测试方法

/—

GBT308672014

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号()

2100029

北京市西城区三里河北街号()

16100045

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    被代替
    被以下标准替代
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    GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
    现行

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