GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
国家标准
中文简体
现行
页数：6页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
发布历史
-
2014年07月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
- 起草人：
- 丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
- 出版信息：
- 页数：6页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H83
中华人民共和国国家标准
/—
GBT308672014
碳碳化硅单晶片厚度和总厚度
变化测试方法
Testmethodformeasurinthicknessandtotalthicknessvariationof
g
monocrstallinesiliconcarbidewafers
y
2014-07-24发布2015-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
碳化硅单晶片厚度和总厚度
变化测试方法
/—
GBT308672014
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中国标准出版社出版发行
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