GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片

ICS29.045

H83

中华人民共和国国彖标准

GB/T30656—2014

碳化硅单晶抛光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31发布2015-09-01实施

GB/T30656—2014

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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。

本标准主要起草人：陈小龙、郑红军、张玮、郭饪、刘春俊、刘振洲。

T

GB/T30656—2014

碳化硅单晶抛光片

1范围

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、

质量证明书及订货单（或合同）内容。

本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品

主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

DIN50448半导体工艺材料试验使用电容式探测器对半绝缘半导电切片电阻率的非接触测定

(Testingofmaterialsforsemiconductortechnology-Contactlessdeterminationoftheelectricalresis­

tivityofsemi-insulatingsemi-conductorslicesusingacapacitiveprobe)

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

六方空洞hexagonalvoid

独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞。

3.2

微管micropipe

4H或6H碳化硅单晶抛光片中沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道。

3.3

多型polytype

由同种化学成分所构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的堆垛顺序

1

GB/T30656—2014

或重复方式不同时，而形成的结构上不同的变体。

3.4

表面取向surfaceorientation

为满足不同要求，晶片表面与｛0001｝面平行或成特定的角度，用这一角度来表示晶片的表面取向，

即样品表面法线与样品C轴的夹角。

3.5

正交取向偏离orthogonalmisorientation

切片时有意偏离｛0001｝晶面，晶片表面法向矢量在｛0001｝面的投影与｛0001｝面上最近的＜1120＞方

向的夹角，定义为正交取向偏离（见图l）o

4要求

4.1总则

碳化硅单晶抛光片的技术参数是指在固定优质区内的要求，且边缘去除区应符合表1的规定。

表1边缘去除区单位为毫米

直径边缘去除区

50.81

76.22

1003

4.2分类

4.2.1碳化硅单晶抛光片按晶型分为4H和6H。

4.2.2碳化硅单晶抛光片按导电能力分为导电型和半绝缘型。

4.3牌号

碳化硅单晶抛光片的牌号应符合附录A的规定。

2

GB/T30656—2014

4.4规格

4.4.1碳化硅单晶抛光片按直径分为050.8、076.2和100。

4.4.2碳化硅单晶抛光片按产品质量，分为工业级（简称P级）、研究级（简称R级）和试片级（简称D

级）。

4.5几何参数

碳化硅单晶抛光片的几何参数应符合表2的规定。

表2几何参数

要求

序号项目

050.8©76.2/100.0

1直径及允许偏差/50.8士0.276.2±0.2100.0±0.5

2主定位边长度及允许偏差/mrn16.0±l.722.0±2.032.5±2.0

3次定位边长度及允许偏差/mrn8.0±1.711.0±1.518.0±2.0

主定位边取向

4平行于{1010}±5°平行于{1010}±5°平行于{1010}±5°

（示意图见图2）

硅面：沿主定位边方向硅面：沿主定位边方硅面：沿主定位边方