GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
GB/T 31351-2014 Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
国家标准
中文简体
现行
页数：6页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。
本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
发布历史
-
2014年12月
研制信息
- 起草单位：
- 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所
- 起草人：
- 陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲
- 出版信息：
- 页数：6页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040.99
H26
中华人民共和国国家标准
/—
GBT313512014
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
Nondestructivetestmethodformicroiedensitof
ppy
olishedmonocrstallinesiliconcarbidewafers
py
2014-12-31发布2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
/—
GBT313512014
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