GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T30868—2025

代替GB/T30868—2014GB/T31351—2014

,

碳化硅单晶片微管密度测试方法

Testmethodformicropipedensityofmonocrystallinesiliconcarbide

2025-08-01发布2026-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T30868—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法和

GB/T30868—2014《》GB/T31351—2014

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法本文件以为主整合了

《》。GB/T30868—2014,GB/T31351—

的内容与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

2014。GB/T30868—2014,,:

更改了范围见第章的第章

a)(1,GB/T30868—20141);

更改了环境要求见第章的第章

b)(4,GB/T30868—20148);

增加了干扰因素见

c)(5.2、6.2);

更改了仪器设备见的第章

d)(5.4,GB/T30868—20146);

更改了微管腐蚀见的

e)(5.5.2,GB/T30868—20147.2);

更改了精密度见的第章

f)(5.8,GB/T30868—201411)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所北京天科合达半导体股份有限公司

:、、

山东天岳先进科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公

、、

司安徽长飞先进半导体股份有限公司浙江晶瑞电子材料有限公司南京盛鑫半导体材料有限公司

、、、、

湖州东尼半导体科技有限公司长飞光纤光缆股份有限公司浙江材孜科技有限公司连科半导体有限

、、、

公司中电晶华天津半导体材料有限公司上海优睿谱半导体设备有限公司河南中宜创芯发展有限

、()、、

公司哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司宁波合盛新材料有限公司厦门中芯晶研半

、、、

导体有限公司

。

本文件主要起草人姚康许蓉佘宗静何烜坤王英明张红岩齐菲丁雄杰李素青刘小平

:、、、、、、、、、、

欧阳鹏根潘文宾晏阳王志勇王明华胡润光李明达张超越孙毅赵丽丽赵新田陈基生

、、、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订修订时并入了碳化硅单晶抛

2014,,GB/T31351—2014《

光片微管密度无损检测方法的内容

》。

Ⅰ

GB/T30868—2025

碳化硅单晶片微管密度测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法包括化学腐蚀法和偏振光法

,。

本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

碳化硅晶体材料缺陷图谱

GB/T43612

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳化硅单晶片monocrystallinesiliconcarbidewafers

从碳化硅单晶上切取的具有平行平面的薄片

。

注包括切割片研磨片抛光片等

:、、。

4环境要求

41温度

.:23℃±5℃。

42相对湿度

.:20%~75%。

5化学腐蚀法

51原理

.

采用择优化学腐蚀技术显示微管缺陷使其呈现六边形结构且具有一定深度的腐蚀坑用光学显微

,,

镜或其他仪器如扫描电子显微镜观测碳化硅单晶表面的微管计算单位面积上微管的个数即得到微

(),,

管密度

。

52干扰因素

.

521腐蚀液加热时间过短腐蚀液不能完全熔融影响腐蚀效果

..,,。

522腐蚀时腐蚀温度过高或腐蚀时间过长反应物易附在试样表面影响微管的观察

..,。

523腐蚀时试样的摆放方式对结果的观察也有一定的影响若测试面朝下则可能因为与坩埚底部

..,,,

接触造成腐蚀不均匀现象影响微管的观察

,。

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