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GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

GB/T 30868-2014 Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 30868-2025 | 页数：8页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 30868-2014
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H83 化合物半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

发布历史

文前页预览

GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法-第1页
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法-第2页
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法-第3页
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人：
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
出版信息：
页数：8页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS29.045

H83

中华人民共和国国家标准

/—

GBT308682014

碳碳化硅单晶片微管密度的测定

化学腐蚀法

Testmethodformeasurinmicroiedensitofmonocrstallinesilicon

gppyy

—

carbidewafersChemicalletchin

yg

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

碳化硅单晶片微管密度的测定

化学腐蚀法

/—

GBT308682014

*

中国标准出版社出版发行

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    被以下标准替代
    GB/T 30868-2025
    GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法
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