T/CASME 2000-2025 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范
T/CASME 2000-2025 Technical specification for graphite baseplate with silicon carbide coating used for semiconductor epitaxy
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/CASME 2000-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2025-06-06
实施日期
2025-07-06
发布单位/组织
-
归口单位
中国中小商业企业协会
适用范围
范围:本文件适用于以高纯等静压石墨为基材，经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品;
主要技术内容:本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存等内容
发布历史
-
2025年06月
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研制信息
- 起草单位：
- 湖南德智新材料股份有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、江苏宏基高新材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽凯威半导体科技有限公司、河南锐瓷科技有限公司、辽宁汉京半导体材料有限公司、内蒙古京航特碳科技有限公司、广东精瓷新材料有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司、华兴中科标准技术（北京）有限公司
- 起草人：
- 余盛杰、廖家豪、窦坤鹏、赵世贵、杨波、朱刚、李江涛、盛后泉、杨捷、孙威、邓南军、丁雄杰、刘薇、朱亦辉、刘涛涛、李庆甲、杨延辉、陈闻杰、李华、任国静、张亚栋
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
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