GB/T 19444-2025 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T19444—2025

代替GB/T19444—2004

硅片氧沉淀特性的测试

间隙氧含量减少法

Testmethodforoxygenprecipitioncharacteristicsofsiliconwafers—

Interstitialoxygenreduction

2025-06-30发布2026-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T19444—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法与

GB/T19444—2004《—》,GB/T19444—

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

2004,,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20041);

增加了术语和定义见第章

b)(3);

更改了方法原理见第章年版的第章

c)(4,20043);

增加了干扰因素见第章

d)(5);

增加了试验条件见第章

e)(6);

更改了试剂或材料见第章年版的第章

f)(7,20045);

增加了仪器设备见第章

g)(8);

更改了样品见第章年版的第章

h)(9,20046);

更改了试验步骤见第章年版的第章

i)(10,20047);

增加了试验数据处理见第章

j)(11);

更改了精密度见第章年版的第章

k)(12,200410);

更改了试验报告见第章年版的第章

l)(13,20049)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位麦斯克电子材料股份有限公司浙江中晶科技股份有限公司隆基绿能科技股份

:、、

有限公司内蒙古中环晶体材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有

、、、

限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司上海合晶硅材料股份有限

、、、

公司浙大宁波理工学院

、。

本文件主要起草人方丽霞陈卫群姚献朋黄笑容寇文辉王新社郭红强刘丽娟肖世豪朱晓彤

:、、、、、、、、、、

张海英王江华尚海波章金兵

、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2004,。

Ⅰ

GB/T19444—2025

硅片氧沉淀特性的测试

间隙氧含量减少法

1范围

本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法

。

本文件适用于室温电阻率大于的型硅单晶片和室温电阻率大于的型硅

0.1Ω·cmn0.5Ω·cmp

单晶片氧沉淀特性的测试

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557—2018

分析实验室用水规格和试验方法

GB/T6682

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

氧沉淀oxygenprecipitation

在晶体生长及后期热处理阶段晶格之间的氧原子与硅及硅晶体中的其他杂质反应而形成的氧沉

,

积物

。

32

.

初始氧含量initialoxygencontent

未经热处理工艺的硅单晶片的间隙氧含量

。

33

.

最终氧含量finaloxygencontent

经过热处理工艺的硅单晶片的间隙氧含量

。

34

.

氧减少量thereductioninoxygencontent

初始氧含量减去最终氧含量的差值

。

4原理

对样品进行热处理用红外吸收的方法测试样品热处理前和热处理后的间隙氧含量其差值视为

,,,

间隙氧发生沉淀的量用于表征样品的氧沉淀特性

,。

1