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T/CEMIA 054-2026 氧化镓单晶抛光片位错密度检测方法 X射线形貌法

T/CEMIA 054-2026 Test Method for Dislocation Density Measurement in Single Crystal Polished Wafers of Gallium Oxide by X-ray Topography

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CEMIA 054-2026
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040.20 金属材料无损检测
发布日期
2026-07-21
实施日期
2026-08-01
发布单位/组织
-
归口单位
中国电子材料行业协会
适用范围
-

发布历史

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研制信息

起草单位：
无锡华润微电子有限公司、武汉大学工业科学研究院、杭州市富阳区镓谷氧化镓产业发展服务中心（亚洲氧化镓联盟）、中国电子科技集团第四十六研究所、杭州富加镓业科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司、中国科学院上海光学精密器械研究所、山东大学、北京镓创科技有限公司、苏州镓和半导体有限公司、进化半导体(深圳)有限公司、北京铭镓半导体有限公司、宁波镭晶科技有限公司、同济大学
起草人：
孟标、翟小林、王敏瑞、周顺、胡志皓、张召富、吴改、汪启军、王祥金、郭宇铮、沈威、梁康、沈涛、费雪梅、张瑛卓、刘立娜、吴华、齐红基、陈端阳、夏宁、江继伟、赛青林、穆文祥、李龙、宫学源、唐为华、吴岳、祁颂、许照原、孟冬冬、徐军、唐慧丽
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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