适用范围：YS/T 1065的本部分规定了沸石中灼烧失量的测定方法。 本部分适用于沸石中灼烧失量的测定。测量范围为18%～23%。

适用范围：YS/T 1065的本部分规定了离心沉降法测定沸石的粒度分布。 本部分适用于离心沉降法沸石粒度的测定。测定范围为0.5 μm～5 μm。

适用范围：本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

适用范围：本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga, In, Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。

适用范围：本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片)翘曲度的测试方法。 本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片翘曲度的测试。

适用范围：本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。 本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。

适用范围：本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）弯曲度的测试方法。 本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片弯曲度的测试。

适用范围：本标准规定了用X-射线衍射法测定煅烧α型氧化铝中α-Al2O3含量的方法。 本标准适用于煅烧α型氧化铝中α-Al2O3含量的测定。测定范围为50%~100%。

适用范围：本标准规定了阳极效应、闪烁效应、阳极效应系数、效应持续时间的定义、判定与计算。 本标准适用于熔盐电解法生产金属铝的铝电解槽阳极效应的记录、统计与计算。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）翘曲度和波纹度的测试方法。 本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。 本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。

适用范围：本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。 本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。

适用范围：本标准规定了一种块状高温超导体俘获磁场（俘获磁通密度）的测量方法。 本标准适用于具有规则形状，诸如圆片、圆柱、矩形块和正六棱柱的大晶粒块状氧化物超导体在4.2 K~90 K温度范围内的俘获磁通密度评估。基于标准化的目的，只报告液氮温度下的俘获磁通密度。

适用范围：本标准规定了用于制备LED的蓝宝石图形化衬底片的测试技术规范，包括蓝宝石图形化衬底片的图形结构、表面质量、图形一致性的测试要求和测试方法。 本标准适用于制备半导体照明器件的氮化物外延生长所用蓝宝石图形化衬底片。

适用范围：本标准规定了在低频磁场中测量磁性材料磁屏蔽效能的方法。 本标准适用于涉及的材料包括：金属磁屏蔽材料、复合磁屏蔽材料和各类涂层屏蔽材料。

适用范围：本标准规定了铜及铜合金板带箔材表面清洁度的测定方法。 本标准适用于铜及铜合金板带箔材表面清洁度的测定及脱脂前后板带箔材洗净率的测定，以判定清洗剂对铜板带箔材的清洗效果及成品带材表面的洁净程度。

适用范围：本部分规定了连续流动色谱法测定砂状氧化铝比表面积的分析方法。 本部分适用于砂状氧化铝比表面积的测定。

适用范围：本部分规定了砂状氧化铝安息角的测定方法。 本部分适用于砂状氧化铝安息角的测定。

适用范围：本部分规定了X射线衍射法测定砂状氧化铝中αAl2O3含量的方法。 本部分适用于砂状氧化铝中αAl2O3含量的测定。测定范围：≤20.0%。