适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗红外透过率的测定方法。 本标准适用于高纯四氯化锗红外透过率的测定，测定范围为0～100%。

适用范围：本标准规定了磁控溅射用磁性靶材透磁率的术语和定义、检测设备、检验过程及结果计算等内容。 本标准适用于溅射薄膜用各类磁性靶材透磁率的检验。

适用范围：本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。 本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4 mm的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。

适用范围：本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 本标准适用于在111、100和110晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm～120 μm硅外延层厚度的测量。

适用范围：本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

适用范围： 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。

适用范围：本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和（或）机械效应引起的硅片翘曲，也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。

适用范围： 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

适用范围：本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

适用范围：本标准规定了工业用的电阻测定复合超导体临界温度的测量方法。 本标准适用于一体化结构的圆形、扁平或方形截面的单芯或多芯复合超导体，包括Cu/NbTi、Cu/CuNi/NbTi和CuNi/NbTi复合超导体，Cu/Nb3Sn和Cu/Nb3Al复合超导体，以及金属包套的MgB2复合超导体，金属为稳定体的Bi系氧化物超导体，Y系或稀土金属基涂层导体。

适用范围：本标准规定了NbTi/Cu复合超导线室温拉伸试验方法。 本试验方法用以测量弹性模量，规定塑性延伸强度（由复合体中Cu的屈服而产生的）和抗拉强度。 断后伸长率和由组分中NbTi屈服定义的第二类规定塑性延伸强度仅作参考（见A.1和A.2）。 本标准适用于测试横截面积在0.15 mm2～2 mm2，铜超比在1.0～8.0之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。

适用范围：本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。