GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
发布历史
-
2015年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
- 起草人：
- 曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT322822015
氮化镓单晶位错密度的测量
阴极荧光显微镜法
—
TestmethodfordislocationdensitofGaNsinlecrstal
ygy
Cathodoluminescencesectrosco
ppy
2015-12-10发布2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT322822015
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
定制服务
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