适用范围：本部分适用于填料用氢氧化铝粒度的测定。激光粒度法测定范围：≥4μm～150μm；离心沉降法测定范围：0.5μm～4μm。

适用范围：本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。

适用范围：范围:本标准规定了氮化镓充电器的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于手机充电器产品，其他如万能充电器、应急充电器及车载充电器等产品可参照本标准执行; 主要技术内容:原材料要求、电流电压、电流电压、充电时间、跌落性能、恒定湿热、耐腐蚀性、电磁兼容性、安全性

适用范围：主要技术内容:规定了粉末床熔融成型钛合金零件增材制造的要求、检验项目与规则和交货。本文件适用于使用增材制造方法制备钛合金零件的供需双方

适用范围：本标准规定了锆管探伤用对比试样人工缺陷（人工槽/通孔）尺寸的复型及显微测量方法。本标准适用于锆管超声、涡流等无损探检测对比试样上人工槽/通孔尺寸的测量。其他金属对比试样中的类似人工缺陷尺寸的测量也可参照执行。

适用范围：本标准规定了在工频条件下，采用H线圈测量电工钢带（片）单片试样的磁场强度，并通过单片磁导计测试电工钢比总损耗、磁极化强度及比视在功率的测试方法。 本标准适用于晶粒取向或晶粒无取向电工钢带（片）单片试样磁性能的检测。

适用范围：本标准规定了镁及镁合金铸锭的外观检查、化学成分、纯净度检验和试验报告等内容。 本标准适用于镁及镁合金铸锭的纯净度检验。

适用范围：本标准规定了真空器件用锆铝合金粉、吸气用锆铝合金环件和片件、吸气用锆铝合金复合带材、释汞吸气用钛汞锆铝合金复合带材、室温吸气用锆石墨材料和制品等非蒸散型吸气材料及制品的吸气速率和吸气量的检测方法、检测结果的处理及试验报告。本标准适用于真空器件用锆铝合金粉、吸气用锆铝合金环件和片件、吸气用锆铝合金复合带材、释汞吸气用钛汞锆铝合金复合带材、室温吸气用锆石墨材料和制品等非蒸散型吸气材料及制品的吸气速率和吸气量的测定。

适用范围：本标准规定了金属材料高温蒸汽氧化试验方法的术语和定义、试验原理、试验装置及条件、试样、试验步骤、结果分析和试验报告。本标准适用于金属材料在高温蒸汽条件下的氧化试验。

适用范围：本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了基于排水法原理测量氢化液体有机储氢载体储氢密度的一种测量方法。本标准适用于氢化液体有机储氢载体的储氢密度测量

适用范围：本标准规定了金相法测定钛合金β转变温度的原理、试样、仪器设备、试验步骤、试验结果的判定、和试验报告。 本标准适用于采用金相法测定α型、α-β型和亚稳定β型钛合金的β转变温度。

适用范围：主要技术内容:半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用

适用范围：本标准规定了用爱泼斯坦方圈测量电工钢带（片）中频交流磁性能的一般原理、比总损耗、磁极化强度峰值、磁场强度有效值、磁场强度峰值和比视在功率的测定方法、测量装置、测量步骤和检测报告。本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢带（片）在频率范围为400 Hz~10 kHz的交流磁性测量，适用于从任何等级的电工钢带（片）上取得的试验试样。测量前对试样退磁，测量在环境温度（23±5）℃进行。注： 本标准中“磁极化强度”的定义参照GB/T 9637，电工钢系列的一些标准采用“磁通密度”的定义。

适用范围：本标准适用于钛及钛合金表面无机涂层的绝缘性能检测。

适用范围：本标准规定了难熔金属及其化合物粉末在粒度测定之前的分散处理规则。 本标准适用于钨、钼、铼、钽及碳化钨等难熔金属及化合物粉末的分散处理，其他的金属粉末（或碳化物、氮化物）也可参照本标准进行分散处理。

适用范围：本标准规定了取向和无取向电工钢带（片）的电阻率、密度和叠装系数的测定方法。这些物理参数是材料物理性能的表征。其中，密度是测定磁极化强度、电阻率和叠装系数时需要的条件参数。 由于这些性能参数与温度相关，除非另有规定，测量将在室温23 ℃±5 ℃进行。

适用范围：本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。 本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。 本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m～2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。

适用范围：本标准规定了采用激光法非接触式测量方形硅晶锭尺寸的方法，包括对角线、倒角、垂直度、边长和长度。本标准适用于半导体及光伏领域硅单晶棒或多晶硅铸锭切割成的方形硅晶锭尺寸的测量。