GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
GB/T 30653-2014 Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。
本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。
发布历史
-
2014年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院半导体研究所
- 起草人：
- 孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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