适用范围：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。

适用范围：本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

适用范围：本标准规定了单晶拉制炉用碳/碳复合材料坩埚的要求、试验方法、检测规则及标志、包装、运输、贮存、质量说明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于半导体领域单晶拉制炉用碳/碳复合材料坩埚，也适用于其他高温炉提纯多晶硅和冶炼金属用碳/碳复合材料坩埚。

适用范围：1.1本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1.2本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

适用范围：本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。

适用范围：本文件描述了使用白光干涉法测试异质外延单一结构的氮化镓外延层厚度的原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度，以及试验报告。 本文件适用于异质外延氮化镓外延层厚度（范围为11 μm至43 μm）的测试。AlN、InN、AlGaN和InGaN在异质外延上的单一结构膜层厚度的测试也可参照本文件执行。