GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

ICS

29．045

H83

a目

中华人民共和国国家标准

11

GB／T

110721989

代替GB／T

锑化铟多晶、单晶及切割片

Indiumantimonideandas—cutslices

polycrystal，singlecrystals

2009-1

0-30发布

宰瞀髁鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘11’

GB／T11072--2009

前言

本标准代替GB／T11072--1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。

本标准与GB／T11072--1989相比，主要有如下变化：

mm～50mm～200

——将原标准中直径10mm全部改为10mm；

200

——在原标准的基础上增加了直径>50mm，厚度不小于1pm，厚度偏差士40pm；

mm～50mm～200

——将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm全部改为≥30mm；

——在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200mm的切割片直径、参考面长度及其

偏差；

——将原标准中的附录A去掉，增加引用标准GB／T11297；

——增加了“订货单(或合同)内容”一章内容。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。

本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

1

——GB／T1072一1989．

GB／T

锑化铟多晶、单晶及切割片

1范围

1．1本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。

1．2本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑

化铟多晶、单晶及切割片。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB／T

4326非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB／T

8759化合物半导体单晶晶向x衍射测量方法

GB／T

11297锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

3产品分类

3．1导电类型、规格

3．1．1多晶

多晶的导电类型为n型，按载流子迁移率分为三级。

3．1．2单晶

锑化铟单晶按导电类型分为n型和p型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度

分为三级。

3．1．3切割片

按3．1．2分类与分级，其厚度不小于500pm。

3．2牌号

3．2．1锑化铟多晶与单晶的牌号表示为：

l——用PInSb表示锑化铟多晶，MInSb表示锑化铟单晶

2——化学元素符号表示掺杂剂；

3——阿拉伯数字表示产品等级。

若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。

3．2．2锑化铟单晶切割片牌号表示为：

11072--2009

GB／T

1——MInSb表示锑化铟单晶；

2——化学元素表示掺杂剂；

3——cs表示切割片；

4——阿拉伯数字表示产品等级。

若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。

注：1级掺碲锑化铟单晶切割片表示为；

MInSI卜Te_CS-1

4技术要求

4．1多晶

4．1．1多晶不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物。

4．1．2多晶的电学性能应符合表1的规定。

表1多晶的电学性能(77K)

载流子浓度／迁移率／

导电类型级别