GB/T 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片

UDC661.864.147

H81

中华人民共和国国家标准

GB11072—89

钱化锢多晶、单晶及切割片

Indiumantimonidepolycrystal,single

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1989-03-31发布1990-02-01实施

中华人民共和国国家标准

舖化锢多晶、单晶及切割片GB11072—89

Indiumantimonidepolycrystal,single

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1主题内容与适用范围

本标准规定了怫化锢多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。

本标准适用于区熔法制备的佛化钢多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的伊化

锢单晶及其切割片。

2引用标准

GB4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB8759化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法

3产品分类

3.1导电类型、规格国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页

5.1.1多晶

多晶的导电类型为N型,按载流子迁移率分为三级。

3.1.2单晶

劈化锢单晶按导电类型分为N型和P型以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类按直径与位错密度

分为三级。

5.1.3切割片

按3.1.2分类与分级,其厚度不小于500um。

3.2牌号

5.2.1铸化锢多晶与单晶的牌号表示为：

qinSb-□-□

■2

1——用PInSb表示佛化锢多晶,MlnSb表示磚化锢单晶;

中国有色金S工业总公司1989-01-28批准1990-02-01实施

GB11072—89

2——化学元素符号表示掺杂剂；

3阿拉伯数字表示产品等级。

若产品不掺杂或不分级,则相应部分可省略。

3.2.2佛化锢单晶切割片牌号表示为：

IS^InSb-□-CS-□

4

1MlnSb表示伊化锢单晶；

2——化学元素符号表示掺杂剂》

3——CS表示切割片,

4——阿拉伯数字表示产品等级。

若产品不掺杂或不分级,则相应部分可省略。

示例：1级掺确佛化锢单晶切割片表示为：

MlnSb-TeCS-1

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4技术要求

4.1多晶

4.1.1多晶不应有裂纹和机械损伤不允许有夹杂物。

4.1.2多晶的电学性能应符合表1的规定。

表.1多晶的电学性能(77K)

载流子诳度迁移率

导电类型级别

cm_3cm^/V-s

15X1013〜IX1014>6X105

N2.5X1013〜ixitPd>5X105〜6X105

35X1013〜1x1014>4X105〜5X105

4.2单晶及切割片

4.2.1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和李晶线等缺陷。切割片表面不得有肉眼可见的刀痕因切割而

引起的缺口或崩边应在2mm以内。

4.2.2非掺杂和掺杂伊化锢单晶的电学性能与位错密度应符合表2的规定。用于磁敏元件的佛化锢单

晶及切割片的电学性能应符合表3的规定。

2

GB11072—89

表2非掺杂和掺杂伊化锢单晶电学性能(77K)和位错密度

位错密度

载流子浓度,迁移率电阻率直径

牌号