GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
GB/T 20229-2006 Gallium phosphide single crystal
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2006-04-21
实施日期
2006-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
信息产业部(电子)
适用范围
-
发布历史
-
2006年04月
-
2022年03月
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 起草人:
- 孙聂枫、周晓龙、孙同年
- 出版信息:
- 页数:5页 | 字数:7 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29.045
H83
中华人民共和国国家标准
GB/T20229—2006
磷化稼单晶
Galliumphosphidesinglecrystal
2006-04-21发布2006-10-01实施
发布
GB/T20229—2006
-XX.—1—
刖s
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由信息产业部(电子)归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。
I
GB/T20229—2006
磷化掾单晶
1范围
本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化稼单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验
规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化傢单晶材料(以下简称单晶)。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828(所有部分)计数抽样检验程序
GB/T4326非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法
GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法
GJB3076磷化傢单晶片规范
3要求
3.1牌号
磷化傢单晶的牌号表示方法为:
HPLEC-GaP-^()-()
.表示晶向
表示导电类型,括号内的兀素符号表示掺杂剂
表示磷化傢单晶
表示咼压液封直拉法
示例:HPLEC-GaP-N(S)-dll),表示高压液封直拉法掺硫n型(111)晶向磷化傢单晶。
定制服务
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