GB/T 20229-2006 磷化镓单晶

ICS29.045

H83

中华人民共和国国家标准

GB/T20229—2006

磷化稼单晶

Galliumphosphidesinglecrystal

2006-04-21发布2006-10-01实施

发布

GB/T20229—2006

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本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由信息产业部（电子）归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。

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GB/T20229—2006

磷化掾单晶

1范围

本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化稼单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验

规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化傢单晶材料(以下简称单晶)。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828(所有部分)计数抽样检验程序

GB/T4326非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GJB3076磷化傢单晶片规范

3要求

3.1牌号

磷化傢单晶的牌号表示方法为：

HPLEC-GaP-^()-()

.表示晶向

表示导电类型，括号内的兀素符号表示掺杂剂

表示磷化傢单晶

表示咼压液封直拉法

示例:HPLEC-GaP-N(S)-dll),表示高压液封直拉法掺硫n型(111)晶向磷化傢单晶。