GB/T 20230-2006 磷化铟单晶

ICS29.045

H83

中华人民共和国国家标准

GB/T20230—2006

磷化锢单晶

Indiumphosphidesinglecrystal

2006-04-21发布2006-10-01实施

发布

GB/T20230—2006

■1/■■1

刖a

本标准主要参考了SEMIM23—0302《磷化锢单晶抛光片，结合我国实际情况进行编写的。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由信息产业部（电子）归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。

T

GB/T20230—2006

磷化锢单晶

1范围

本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化钢单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验

规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化钢单晶材料(以下简称单晶)。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1555半导体单晶晶向测量方法

GB/T2828(所有部分)计数抽样检验程序

GB/T4326非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T13387电子材料晶片参考面长度测量方法

SJ/T3244.1GaAs和InP材料霍耳迁移率和载流子浓度的测量方法

SJ/T3245磷化锢单晶位错密度测量方法

SJ/T3249.1半绝缘碑化傢和磷化钢体单晶材料的电阻率测试方法

3要求

3.1牌号

磷化錮单晶的牌号表示方法为：

HPLEC-InP^()-()

表示晶向

表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂

表示磷化钢单晶

表示咼压液封直拉法

示例:HPLEC-InP-Si(Fe)-(100),表示髙压液封直拉法掺铁半绝缘(100)晶向磷化钢单晶。若单•晶不强调生长方法

和掺杂剂，则相应部分可以省略。

3.2磷化锢单晶锭的特性

3.2.1磷化锢的导电类型分为n型、半绝缘型、p型。

3.2.2磷化锢单晶锭的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定。

1

GB/T20230—2006

表1磷化锢单晶的导电类型、掺杂剂、电学参数

载流子浓度/迁移率/电阻率/

导电类型掺杂剂

cm-3[cm2/(V•s)](Q・cm)

S>5X10n>500

n型

Sn