国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译:SJ/T 11501-2015 SJ/T 11501-2015 Test method for crystal morphology of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11490-2015 The measurement method for the pit density of polished gallium arsenide wafers with low dislocation density【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
废止
译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:YS/T 13-2015 High pure germanium tetrachloride适用范围:本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
被代替
译:GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围:本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01收藏 -
被代替
译:GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01收藏 -
被代替
译:GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-22 | 实施时间: 2015-09-01收藏 -
废止
译:YS/T 982-2014 Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace适用范围:本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:YS/T 978-2014 Carbon/carbon composites guide shield of single crystal furnace适用范围:本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:YS/T 979-2014 High purity gallium oxide适用范围:本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11470-2014 LED Extrusion Sheet【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11471-2014 SJ/T 11471-2014 Test Methods for Epitaxial Layers of Light Emitting Diodes (LEDs)【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:YS/T 988-2014 Carboxyethyl-germanium sesquioxide适用范围:本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)等内容。 本标准适用于以高纯二氧化锗或以高纯四氯化锗为原料制备的羧乙基锗倍半氧化物(Ge-132)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:YS/T 977-2014 Carbon/carbon composites heat insulation cylinder of single crystal furnace适用范围:本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒也适用于其他高温真空炉/保护气氛炉用碳/碳复合材料保温筒。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:GB/T 30854-2014 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting适用范围:本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
被代替
译:GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
现行
译:GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips适用范围:本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01收藏 -
被代替
译:GB/T 30866-2014 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围:本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-02-01收藏 -
被代替
译:GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围:本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01收藏
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