GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片

I臼29.045

日83

中华人民共和国国家标准

GB/T30854-2014

LED发光用氮化镣基外延片

GalliumnitridebasedepitaxiallayerforLEDlighting

2014-07-24发布2015-04-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检菠总局唱士

中国国家标准化管理委员会也叩

GB/T30854-2014

目。

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草．

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及材料分技术委员会CSAC/TC

203/SC2）共同提出并归口．

本标准起草单位：小国科学院半导体研究所．

本标准主要起草人：魏学戚、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、挺刘旺．

GB/T30854-2014

LED发光用氨化综基外延片

1范围

本标准规定了LED发觉用氧化嫁基外延片（以下简称外延片〉的要求、检验方法和规则以及标志、

包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容．

本标准适用－f·LED~光用氧化嫁基外延片．

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的．凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件．凡是不注目朔的引用文件，其最新版本〈包括所有的修改单〉适用于本文件．

GB/T191包装储运罔示标志

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（八QL）幢索的逐批检验抽样计划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘幽度非接触式测试方法

GB/T13387硅及其他电子材料品片参考前任度测量方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

SJ/T11399半导体二极管芯片测试方法

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件．

4要求

4.1分类

外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化嫁外延片〈外延

厚度超过100µm通常称为氧化嫁单晶）．

4.2牌号

外延片牌号表示按照GB/T14844的规定．

4.3规格

外延片直径主要分为φ50.8mm、φ76.2mm、φ100mm,ct>l50mm4种规格，或由供需双方商定．

GB/T30854-2014

4.4LED全结构外延片

4.4.1外形几何尺寸

全结构外延片外形几何尺寸m.符合表l的规定．

表1

单位为毫米

要求

项目

φ50.8φ76.2φ100φ150

50.8士0.276.2土0.2100土0.2150士0.2

直径

参考而尺寸l6.0l_1.024.0士1.032.0士1.048.0J_1.0

0.43士0.030.52.10.030.65士0.031.30士0.03

中心点厚度

厚度不均匀位骂王0.02骂王0.03<0.05骂王0.08

<0.04骂王0.05~0.06<0.08

弯曲度

<0.04骂王0.054二0.08

翘幽度4三0.06

注：E与客户对外延片几何尺寸布特殊要求时由供箭双方在合同中确定．

4.4.2表面质量

全结构外延片的表面质量应符合表2的规定．

亵2

要求

项目

测试条件

φ50.8mmφ76.2mmφLOOmmφ150mm

六角缺陷

（直径》300µm)200X0个／片0个／片0个／片0个／片

C！［径＜300µm)20个／片30个／片40个／Jt60个／片

细凹坑

en径》20µm)200X0个／片0个／片0个／片0个／片

（直径＜20,,m)

100个／片ISO个／片200个／片300个／片

组f良

〈长度二~5mm)SOX0个／片0个／片0个／片0个／片

（~度＜Smm)3个／片5个／片10个／片20个／片

白点

（~[jl》3mm)SOX0个／片0个／片。个／片0个／片

etc度＜3mm)20个IFi'--30个／片40个／片60个／片

注2当客户对外廷片表面质监有特殊要求时由供需双方在合同中确定．

4.4.3发光擅长及擅长均匀性

4.4.3.1发光波长

全结构外延片的发先世长，紫外波段（包括紫光）在200nm~430nm，斑）＇（；放段在430nm~

2

GB/T30854-2014

490nm，绿Jt波段缸490nm~540nm，其中外延片的典型发光波长应符合表3的规定．

褒3

要求

项日

紫外LED外延片监光LED外延片绿光LED外延片

280土10,310土10,380士10450土10,470士10500.L10,520土10

典型波长／nm

注：当等户对外延片波挺有特殊要求或技术进步改变现有滋长时由供箭双方在合同小确定．

4.4.3.2擅长均匀性

全结构外延片的波民均句性应符合表4的规定。

袭4

要求

项口

φ50.8mmφ76.2mmφ100mmφ150mm

lltt是均生J性ζ6nm＝二8nm<10nm<10nm

注：当客户对外延片被占主均匀位有特殊要求时由供需双方在合同中确定．

4.4.4光电参鼓

全结构外延片的开启电压（VF）、峰值波长、漏电流、静电放电敏感度（ESD）等光电参数应符合表5

的规定．

褒5

要求

项目

蓝光LED外延片绿光LED外延片

紫外LED外延片

开启电压vf(!OaA)

骂王5.0骂王3.0<3.0

v

峰值波~

280土10,310土10.380士10450士10.470士10500士10,520土10

nm

漏f毡流（－8V)

4ζ3

运0.5运l

µ/\

抗静电能力ESD

三~4000二~4000二~4000

v

注：当客户对外延片Jt电参敛有特殊要求或技术进步改变参数时由供稽双方在合同中确定．

4.5LED发光用单层外延片

4.5.1外延片外形几何尺寸

－＇￥＂＇－层外延片外形几何尺寸应符合表6的规定。外延片外延层的厚度应为0.1µm~5µm.

3

GB/T30854-2014

袋6

单位为毫米

要求

项目

φ100φ150

φ50.8φ76.2

直径50.8土0.276.2.i0.2100士0.2150土0.2

参考面尺寸16.0士1.024.0上1.032.0士1.048.0士1.0

0.52+0.030.65士0.031.30土0.03

中心点厚度0.43土0.03

厚度不均匀位骂王0.02<0.03<0.05骂王0.08

4三0.06<0.08

弯曲度4二0.044二0.05

翘幽度<0.04~0.05<0.06<0.08

注：当客户对外延片尺寸及限度有特殊要求时由供需双方在合同巾确定．

4.5.2褒面粗糙度

且在层外延片的表面粗糙度应符合表7的规定．

装7

要求

项目

φ50.8mmφ76.2mmφ100mmφ150mm

农面粗糙度／nm运二0.5<1.2<1.8

4

二0.8

注：当客户对外延片表面组槌度有特殊要求时自供需双方在合！司中确定．

4.5.3位错密度

单层外延片的位错密度应符合农8的规定．

表8

要求

目

项

φ50.8mmφ76.2mmφ100mmφ150mm

骂王5×108

位错密度／（个／cm')<l×10’<2×10’<3×10’

注：当客户对外延片位错~Yr布特殊姿求时由供需双方在合同叶’确应．

4.5.4结晶质量（FWHM)

单层外延片的结晶质量采用X射线双品衍射的半高宽（FWHM）表示，其（0002）面的FWHM<

300arcsec,(1012）丽的FWHM<400arcscc.

4.5.5电学性能

且在层外延片的电学性能1世符合表9规定．

4

CB/T30854-2014

表9

3要求

项目

p盛

n型

电阻率／（0·cm)<10-•<to

迁移率／［cm1/(V•s)]>IOO>5

>2×I018>2×1017

载流子浓度／cm→

注：当客户对外延片也学位能有特殊妥求时由供商双方在合同中确定．

5检验方法

5.1LED全结构外延片

5.1.1外延片外形几何尺寸

5.1.1.1全结构外延片直径检测按GB/T14140规定的测量方法进行．

5.1.1.2全结构外延片参考面尺寸检测控GB/