适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm; 主要技术内容:碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义

适用范围：本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件，以及微波与电力电子功率器件。

适用范围：范围:本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件; 主要技术内容:本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为：a) 正晶向：0° ± 0.5°; b) 偏晶向：碳化硅抛光片的晶向偏离为晶片表面法线沿主定位边方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同时本标准还规定了表面缺陷、微管密度、结晶质量、电阻率、多型、位错密度等内容

适用范围：本标准规定了磷化铟多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。本标准适用于生产磷化铟单晶用的磷化铟多晶。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片（以下简称“外延片”）的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。