GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底

ICS29.045

H83GB

中华人民共和国国家标准

GB/T30855-2014

LED外延芯片用磷化镣衬底

GaPsubstratesforLEDepitaxialchips

2015-04-01实施

2014-07-24发布

中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30855-2014

目。吕

本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会CSAC/TC203）及材料分技术委员会（SAC/TC

203/SC2）共同提出并归口。

本标准主要起草单位：中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫固晶体材

料有限公司。

本标准主要起草人：赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。

I

GB/T30855-2014

LED外延芯片用磷化镣衬底

1范围

本标准规定了LED外延芯片用磷化嫁单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包

装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。

本标准适用于LED外延芯片的磷化嫁单晶衬底。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限CAQU检索的逐批检验抽样计划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6621硅片表面平整度测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GJB3076~1997磷化嫁单晶片规范

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4要求

4.1分类

磷化嫁衬底按导电类型分为n型和p型两种类型。

4.2牌号

磷化嫁衬底牌号表示按GB/T14844的规定。

GB/T30855-2014

4.3规格

磷化嫁衬底按直径分为φ50.8mm、φ63.5mm两种规格，或由供需双方商定。

4.4电学性能

磷化嫁衬底的电学性能应符合表1的规定。

表1

要求

序号项目

np

1电阻率／CO•cm)0.50~0.040.10~0.01

2迁移率／［cm2/CV•s)]二三100二三25

1×1017~2×10185×1017~2×1019

3载流子浓度／cm-3

4.5表面晶向及晶向偏离

磷化嫁衬底的表面晶向为＜111＞，晶向偏离不大于0.5。（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需

双方在合同中确定）。

4.6位错密度

磷化嫁衬底的位错密度要求应符合表2的规定。

表2

要求

项目

φ50.8mmφ63.5mm

主二5×105三二5×105

位错密度／（个／cm2)

注：当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。

4.7表面质量

在磷化嫁衬底表面边缘2mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝。在整个表面元1占污、溶剂残留物、

蜡残留物或按合同规定。

4.8参考面取向和长度

客户对φ50.8mm（φ2”）、φ63.5mm（φ2.5勺磷化嫁衬底参考面的取向和长度有特殊要求时，应在

合同中规定。

4.9外形几何尺寸

磷化嫁衬底的外形几何尺寸应符合表3的规定。

2

GB/T30855-2014

表3

品片直径

序号外形几何尺寸要求项目

φ50.8mm（φ2")

φ63.5mm（φ2.5勺

1

50.8土0.5

晶片直径及允许偏差／mm63.5士0.5

(280～500）士15

(300～600）土20

品片厚度及允许偏差／µm

2

总厚度变化TTV/µm

三二12运二15

3主ζ6

平整度TIR/µm

主二8

4

翘曲度Warp/µm<12<15

注：如客户对外形尺寸有其