19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 现行
    译:GB/T 44513-2024 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Environmental test methods of MEMS piezoelectric thin films for sensor application
    适用范围:本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下,评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法,以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。 本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量,也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能,例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。 本文件不包括可靠性评估,如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2025-01-01
  • GB/T 44529-2024 微机电系统(MEMS)技术 射频MEMS环行器和隔离器 现行
    译:GB/T 44529-2024 Micro-electromechanical system(MEMS)technology—Radio frequency MEMS circulators and isolators
    适用范围:本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2024-09-29
  • T/SLEIA 0004-2024 集成电路芯片长期贮存技术规范 现行
    译:T/SLEIA 0004-2024 Long-term storage technical specification for integrated circuit chips
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了单个芯片以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片的通用和专用封装产品提供了操作指导。本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片的长期贮存
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-01-26 | 实施时间: 2024-02-26
  • GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 现行
    译:GB/T 43493.2-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
    适用范围:本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 现行
    译:GB/T 43493.1-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
    适用范围:本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 现行
    译:GB/T 43493.3-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence
    适用范围:本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管 现行
    译:GB/T 15651.6-2023 Semiconductor devices—Part 5-6:Optoelectronic devices—Light emitting diodes
    适用范围:本文件规定了一般工业应用的发光二极管(LED)的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定,涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型:a)LED器件;b)LED平面发光器件;c)LED数字显示和字母数字显示;d)显示用点阵LED;e)红外发射二极管(IR LED);f)紫外发射二极管(UV LED)。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-09-07 | 实施时间: 2024-04-01
  • GB/T 42597-2023 微机电系统(MEMS)技术 陀螺仪 现行
    译:GB/T 42597-2023 Micro-electromechanical systems technology—Gyroscopes
    适用范围:本文件规定了陀螺仪的术语和定义、额定值、性能参数及测量方法。 陀螺仪主要用于消费电子、工业和航空航天等。陀螺仪广泛采用MEMS和半导体激光器技术。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01
  • GB/T 26111-2023 微机电系统(MEMS)技术 术语 现行
    译:GB/T 26111-2023 Micro-electromechanical system technology—Terms
    适用范围:本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01
  • GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 现行
    译:GB/T 42191-2023 Test methods of the performances for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device
    适用范围:本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01
  • GB/T 42158-2023 微机电系统(MEMS)技术 微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法 现行
    译:GB/T 42158-2023 Micro-electromechanical systems technology(MEMS)—Description and measurement methods for micro trench and pyramidal needle structures
    适用范围:本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构,并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm~100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm~150 μm、深宽比为0.006 7~20。棱锥式针结构具有三个或四个面,其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大,并且外轮廓尺寸可包含于边长为100 μm的立方体内。 本文件适用于MEMS结构设计和MEMS结构加工后的几何形状评估。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-03-17 | 实施时间: 2023-07-01
  • DB35/T 2107-2022 紫外发光二极管测评方法 现行
    译:DB35/T 2107-2022 Ultraviolet LED evaluation methods
    适用范围:本文件规定了紫外发光二极管光谱辐射分布和光谱辐射照度测评的操作要求和操作步骤。 本文件适用于测评紫外线辐射峰值波长200 nm~410 nm的发光二极管。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2022-12-27 | 实施时间: 2023-03-27
  • GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 现行
    译:GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
    适用范围:本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-10-12 | 实施时间: 2022-10-12
  • GB/T 41852-2022 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 现行
    译:GB/T 41852-2022 Semiconductor devices-Micro-electromechanical devices—Bend-and shear-type test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures
    适用范围:本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm~1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-10-12 | 实施时间: 2022-10-12
  • T/HEBQIA 073-2022 直拉单晶硅用超导磁体 现行
    译:T/HEBQIA 073-2022 Superconducting magnet for Czochralski single crystal silicon
    适用范围:范围:本文件适用于有关企业制造的直拉单晶硅用超导磁体; 主要技术内容:本文件规定了直拉单晶硅用超导磁体的术语和定义、产品参数、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-04-23 | 实施时间: 2022-04-23
  • T/ZZB 2077-2021 三相桥式整流模块 现行
    译:T/ZZB 2077-2021 Three-phase bridge rectifier module
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了三相桥式整流模块的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于由六个整流管管芯组成,按壳温额定MDS30~MDS300型三相桥式整流模块(以下简称模块)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-03-01 | 实施时间: 2021-03-31
  • GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 现行
    译:GB/T 32817-2016 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Generic specification for MEMS
    适用范围:本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-08-29 | 实施时间: 2017-03-01
  • JB/T 11623-2013 平面厚膜半导体气敏元件 现行
    译:JB/T 11623-2013 Planar thick film semiconductor gas sensor element
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :N05仪器、仪表用材料和元件
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 2013-12-31 | 实施时间: 2014-07-01
  • SJ/T 10135-2010 TEC1系列温差电致冷组件总规范 现行
    译:SJ/T 10135-2010 TEC1 Series Thermoelectric Cooling Module Total Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L46温差电致冷组件与器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2010-12-29 | 实施时间: 2011-04-01
  • SJ/T 10136-2010 TES1系列温差电致冷组件总规范 现行
    译:SJ/T 10136-2010 Total specification for TES1 series thermoelectric cooling component
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L46温差电致冷组件与器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2010-12-29 | 实施时间: 2011-04-01