GB/T 41853-2022 半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量

GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement

国家标准中文简体现行页数：20页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 41853-2022

发布历史

2022年10月

GB/T 41853-2022　半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量

当前标准现行 2022-10-12

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研制信息

起草单位：: 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

起草人：: 李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲

出版信息：: 页数：20页 | 字数：40 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.080.99

CCSL55

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT418532022IEC62047-92011

半导体器件微机电器件

晶圆间键合强度测量

——

SemiconductordevicesMicro-electromechanicaldevices

Wafertowaferbondinstrenthmeasurement

(:,—

IEC62047-92011Semiconductordevices

—:

Micro-electromechanicaldevicesPart9Wafer

towaferbondinstrenthmeasurementforMEMSIDT

2022-10-12发布2022-10-12实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT418532022IEC62047-92011

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4测量方法…………………1

4.1总则…………………1

4.2目测法………………1

4.3拉力测试法…………………………2

4.4双悬臂梁测试法……………………4

4.5静电测试法…………………………6

4.6气泡测试法…………………………7

4.7三点弯曲测试法……………………9

4.8芯片剪切测试法……………………12

()…………

附录资料性键合强度示例

A15

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