适用范围：本文件规定了车规级MEMS半导体气体传感器的分类、基本参数、性能要求、试验方法。 本文件适用于采用MEMS工艺制作的车规级MEMS半导体气体传感器的设计、生产和检验。包括车内/外空气质量传感器、车载人体呼出气体传感器、汽车尾气传感器、新能源车动力安全气体传感器（如车用动力电池安全气体传感器和燃料电池车安全气体传感器)等。

适用范围：微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构，为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试，适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。

适用范围：本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm～300 mm，厚度通常为10 μm～1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图（三维P-S-N图），在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。

适用范围：本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法，描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件，提供了对偏离试件几何形状的设计指导。 微型V形试验是在规定的载荷条件下（I型张开型裂纹），利用专门设计的试验芯片（微型V形试件）确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性（KIC），具有一致性好的特点。 图1为微型V形试验装置示例。

适用范围：本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。 本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm，温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。

适用范围：本文件规定了微机电系统（MEMS）中硅通孔三维结构可靠性评价的样品、失效模式分类及可靠性评价项目，以及参数评价、内外部形貌评价、热应力特性评价、电应力特性评价、机械特性评价、互连特性评价和三维结构评价的要求。 本文件适用于单层或多层堆叠的TSV三维结构的可靠性评价，其中的TSV结构可以是仅通孔侧壁有金属、孔内部填实金属或孔局部填实金属。

适用范围：本文件描述了MEMS电容式麦克风圆片级和器件级性能的试验条件和试验方法。 本文件适用于在空气中使用、频率范围为20 Hz~20 kHz的MEMS电容式麦克风。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。 本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

适用范围：本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法,包括试验流程和所用设备。本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

适用范围：本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。 本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。 IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

适用范围：本文件描述了评估集成电路（IC）表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅能扫描IC，还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射，宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行，也能在时域进行。

适用范围：本文件提供了集成电路的传导和辐射电磁发射测量的通用信息和定义，同时也给出了试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告内容的描述。附录A中给出了试验方法的对照表，以帮助选择适当的测量方法。 本文件的目的是描述通用条件，建立一个统一的测试环境以定量测量来自集成电路(IC)的射频(RF)骚扰。本文件描述了影响试验结果的关键参数。若与本文件的描述有所偏离，需在试验报告中明确注明。测量结果能用于产品比较或其他用途。 通过对受控条件下IC产生的辐射射频骚扰或传导射频发射的电压和电流的测量，获得IC应用过程中可能产生的射频骚扰信息。 IEC 61967的每个部分规定了所适用的频率范围。

适用范围：本文件描述了使用带状线测量集成电路（IC）电磁辐射发射的方法。被评估IC安装在IC带状线结构的有效导体和地平面之间的EMC试验板（PCB）上。

适用范围：本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。 ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。 ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

适用范围：本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。 本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便: ● 预测IC的近场辐射发射; ● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。 本文件包括两个主要部分: ● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述; ● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。

适用范围：本文件描述了使用微型磁场探头以非接触式的电流测量来评估集成电路（IC）引脚射频（RF）电流的方法。 该方法测量IC在150 kHz～1 GHz频率范围内产生的RF电流，适用于标准试验板上的单个或一组IC的测量，以用来表征和对比IC的RF电流。该方法也用于评估实际使用的印制电路板（PCB）上的单个或一组IC的电磁特性以减小发射。该方法称为“磁场探头法”。