GB/T 44937.2-2025 集成电路 电磁发射测量 第2部分：辐射发射测量TEM小室和宽带TEM小室法

ICS31.200

CCSL56

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

集成电路电磁发射测量

:

第部分辐射发射测量小室和

2TEM

宽带TEM小室法

——

InteratedcircuitsMeasurementofelectromaneticemissions

gg

:—

Part2MeasurementofradiatedemissionsTEMcelland

widebandTEMcellmethod

(:,—

IEC61967-22005InteratedcircuitsMeasurementofelectromanetic

gg

—:—

emissions150kHzto1GHzPart2Measurementofradiatedemissions

,)

TEMCellandwidebandTEMCellmethodIDT

2025-12-31发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4概述………………………2

5试验条件…………………2

5.1通则…………………2

5.2供电电压……………2

5.3频率范围……………2

6试验设备…………………2

6.1通则…………………2

6.2屏蔽…………………2

6.3射频测量仪器………………………2

6.4前置放大器…………………………2

6.5TEM小室……………2

()……………

6.6宽带TEMGTEM小室3

6.750Ω终端……………3

6.8系统增益……………3

7试验布置…………………3

7.1通则…………………3

7.2试验配置……………3

7.3试验PCB……………4

8试验程序…………………5

8.1通则…………………5

8.2测量环境噪声………………………6

8.3检查DUT工作状态………………6

8.4测量DUT发射……………………6

9试验报告…………………6

9.1通则…………………6

9.2测量条件……………6

10IC发射参考电平………………………6

()………………

附录资料性校准和布置验证表示例

A7

()……………………

附录资料性小室和宽带小室描述

BTEMTEM8

B.1TEM小室……………8

Ⅰ

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

B.2宽带TEM小室……………………8

()…………

附录资料性根据测得的数据计算偶极矩

C9

C.1概述…………………9

C.2偶极矩的计算………………………9

()…………

附录资料性发射数据规范

D10

D.1概述…………………10

D.2发射电平规范………………………10

D.3结果表述方式………………………10

D.4示例…………………11

参考文献……………………12

Ⅱ

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/《》。/

本文件是集成电路电磁发射测量的第部分已经发布了以下

GBT449372GBT44937

部分:

———:;

第部分通用条件和定义

1

———:;

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法

2TEMTEM

———:;

第部分辐射发射测量表面扫描法

3

———:/;

第部分传导发射测量直接耦合法

41Ω150Ω

———:;

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法

5

———:;

第部分传导发射测量磁场探头法

6

———:。

第部分辐射发射测量带状线法

8IC

:《:

本文件等同采用集成电路电磁发射测量第部分辐射

IEC61967-22005150kHz~1GHz2

发射测量TEM小室和宽带TEM小室法》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动:

———,《:

为与现有标准协调将标准名称改为集成电路电磁发射测量第部分辐射发射测量

2

TEM小室和宽带TEM小室法》。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

(/)。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会SACTC599归口

:、、

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院浙江诺益科技有限公司中国汽车工程研究院股份

、()、、、

有限公司海研芯青岛微电子有限公司厦门海诺达科学仪器有限公司中山大学苏州泰思特电子科

、、、、

技有限公司北京智芯微电子科技有限公司天津先进技术研究院工业和信息化部电子第五研究所

、()、

北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司中汽研新能源汽车检验中心天津有限公司中国家用电

、、、、

器研究院南京信息工程大学广州赛宝计量检测中心服务有限公司海军电磁兼容研究检测中心中国

、、()、

合格评定国家认可中心福州物联网开放实验室有限公司极氪汽车宁波杭州湾新区有限公司中国

、、()、、

北方车辆研究所中国信息通信研究院合兴汽车电子太仓有限公司深圳市必联电子有限公司中航

、、、()。

光电科技股份有限公司柳州汽车检测有限公司重庆新民康科技优先公司拢泽上海技术有限公司

:、、、、、、、、、、

本文件主要起草人郑益民崔强付君黄雪梅吴建飞方文啸朱赛张治中胡小军李焕然

、、、、、、、、、、、、、、

符荣杰王新才梁吉明褚瑞李齐菅端端张洁谭泽强亓新陈彦张勇刘佳赖秋辉朱崇铭

、、、、、、、。

赵骥王紫任李旺刘海涛郭辉张吉宇陈小勇鲍宇航

Ⅲ

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

引言

,

为规范集成电路电磁发射测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁发射测量方

,/《》、

法集成电路电磁发射测量规定了集成电路电磁发射测量的通用条件定义和不同测

GBT44937

,。

量方法的试验程序和试验要求拟由个部分构成

9

———:。。

第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁发射测量的通用条件和定义

1

———:。

第部分通用条件和定义近场扫描数据交换格式目的在于规定近场扫描数据交换

1-1

格式。

———:。

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽带

2TEMTEMTEM

TEM小室法的试验程序和试验要求。

———:。。

第部分辐射发射测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求

3

———:/。/

第部分传导发射测量直接耦合法目的在于规定直接耦合法的

41Ω150Ω1Ω150Ω

试验程序和试验要求。

———:/。/

第4-1部分传导发射测量1Ω150Ω直接耦合法应用指南目的在于给出1Ω150Ω直

接耦合法应用指导。

———:。

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序

5

和试验要求。

———:。。

第部分传导发射测量磁场探头法目的在于规定磁场探头法的试验程序和试验要求

6

———:。。

第部分辐射发射测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求

8ICIC

Ⅳ

/—/:

GBT44937.22025IEC61967-22005

集成电路电磁发射测量

:

第部分辐射发射测量小室和

2TEM

宽带TEM小室法

1范围

()。

本文件描述了一种测量集成电路电磁辐射的方法受试需安装在一块试验印制电路板

ICICIC

(),()()

PCB上该PCB固定在横电磁波TEM小室或者吉赫兹横电磁波GTEM小室顶部或底部切割出

()。,。

的一个匹配端口称为壳体端口上该PCB不像通常用法位于小室内而是作为小室壁面的一部分

()。,

本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室见附录B但是被测的射频

()。()

电压将会受到很多因素的影响影响被测电压的主要因素是芯板和试验小室壳体

RFRFICPCB

之间的距离。

()(

本方法使用小室芯板与地平面距离为和小室芯板与匹配端口区域

1GHzTEM45mmGTEM

)。,

地平面平均距离为45mm进行试验其他小室或许不用产生同样的频谱输出但只要频率和灵敏度

,。

特性允许也能用作比较测量使用对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测

,。

量数据在应用修正系数后再进行比较

,

试验控制着工作的相对于小室的几何位置和方向避免了在小室内的任何电缆连接

ICPCBICIC

(,)。。

这些线缆布置于PCB背面位于小室外部TEM小室的一个50Ω端口端接50Ω负载TEM小室

,,

的另一个50Ω端口或GTEM小室的唯一一个50Ω端口连接到频谱分析仪或接收机的输入端用以

测量产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

IC

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

:(

国际电工术语第部分电路理论

IEC60050-131131InternationalElectrotechnical

()—:)

VocabularIEVPart131Circuittheor

yy

注:/—电工术语电路理论(:,)

GBT2900.742008IEC60050-1312002MOD

:(

国际电工术语第部分电磁兼容

IEC60050-161161InternationalElectrotechnical

()—:)

VocabularIEVPart161Electromaneticcomatibilit

ygpy

注:/—电工术语电磁兼容(:,)

GBT43652024IEC60050-1612021MOD

:(—

集成电路电磁发射测量第部分通用条件和定义

IEC61967-11InteratedcircuitsMeas-

g

—:)

urementofelectromaneticemissionsPart1Generalconditionsanddefinitions

g

:/—:(:,)

注集成电路电磁发射测量第部分通用条件和定义

GBT44937.120251IEC61967-12018IDT

3术语和定义

、、界定的术语和定义适用于本文件。

IEC61967-1IEC60050-131IEC60050-161

1