GB/T 44937.6-2025 集成电路 电磁发射测量 第6部分：传导发射测量 磁场探头法

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

集成电路电磁发射测量

第6部分传导发射测量磁场探头法

:

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—

Part6Measurementofconductedemissions—Maneticrobemethod

:gp

IEC61967-62008Interatedcircuits—Measurementof

(:,g

electromaneticemissions150kHzto1GHz—Part6Measurementof

g,:

conductedemissions—ManeticrobemethodIDT

gp,)

2025-12-31发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

概述

4………………………1

测量基础

4.1……………1

测量原理

4.2……………2

试验条件

5…………………2

概述

5.1…………………2

频率范围

5.2……………2

试验设备

6…………………2

概述

6.1…………………2

磁场探头

6.2……………2

探头间距固定装置和探头的放置

6.3…………………2

试验布置

7…………………5

概述

7.1…………………5

探头校准

7.2……………5

标准试验板的改进

7.3IC………………5

试验程序

8…………………9

概述

8.1…………………9

试验技术

8.2……………9

试验报告

9…………………10

通则

9.1…………………10

文件

9.2…………………10

附录规范性探头校准程序微带线法

A()—……………11

前置放大器

A.1………………………11

频谱分析仪设置

A.2…………………11

微带线

A.3……………11

校准

A.4………………11

附录资料性测量原理和校准因子

B()…………………13

附录资料性磁场探头的空间分辨率

C()………………16

附录资料性探头的放置角度

D()………………………17

附录资料性改进型磁场探头

E()………………………18

Ⅰ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

概述

E.1…………………18

改进型磁场探头固定装置

E.2…………18

磁场探头的空间分辨率

E.3……………24

探头的放置角度

E.4……………………25

校准因子

E.5……………26

探头和微带线的校准

E.6………………28

试验板

E.7………………30

参考文献

……………………32

Ⅱ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁发射测量的第部分已经发布了以下

GB/T44937《》6。GB/T44937

部分

:

第部分通用条件和定义

———1:;

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法

———2:TEMTEM;

第部分辐射发射测量表面扫描法

———3:;

第部分传导发射测量直接耦合法

———4:1Ω/150Ω;

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法

———5:;

第部分传导发射测量磁场探头法

———6:;

第部分辐射发射测量带状线法

———8:IC。

本文件等同采用集成电路电磁发射测量第部分传导

IEC61967-6:2008《150kHz~1GHz6:

发射测量磁场探头法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为集成电路电磁发射测量第部分传导发射测量

———,《6:

磁场探头法

》;

纳入了技术勘误的内容在所涉及的条款外侧页边空白位置

———IEC61967-6:2008/COR1:2010,

用垂直双线进行了标示

(||)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京智芯微电子科技有限公司天津先进技术研究

:、、

院工业和信息化部电子第五研究所厦门海诺达科学仪器有限公司浙江大学上海市计量测试技术研

、、、、

究院中山大学北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司深圳市中兴微电子技术有限公司健研检

、、、、

测集团有限公司中汽研新能源汽车检验中心天津有限公司北京中电华大电子设计有限责任公司

、()、、

安徽省计量科学研究院南京信息工程大学中国民航大学联想北京有限公司东南大学中国汽车

、、、()、、

工程研究院股份有限公司中国信息通信研究院中国合格评定国家认可中心豪威北方集成电路有限

、、、

公司上海雷卯电子科技有限公司中家院北京检测认证有限公司深圳市品声科技有限公司

、、()、。

本文件主要起草人付君崔强万发雨方文啸吴建飞朱赛邵伟恒魏兴昌叶畅高杰刘超

:、、、、、、、、、、、

李金龙雷黎丽梁吉明龙发明钟嘉强张洁王少启王健伟吕飞燕周香黄雪梅臧琦刘佳

、、、、、、、、、、、、、

薛树成胡光亮杨统乾陸振璘

、、、。

Ⅲ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

引言

为规范集成电路电磁发射测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁发射测量方

,

法集成电路电磁发射测量规定了集成电路电磁发射测量的通用条件定义以及不同

,GB/T44937《》、

测量方法的试验程序和试验要求拟由个部分构成

,9。

第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁发射测量的通用条件和定义

———1:。。

第部分通用条件和定义近场扫描数据交换格式目的在于规定近场扫描数据交换

———1-1:。

格式

。

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽带

———2:TEMTEM。TEM

小室法的试验程序和试验要求

TEM。

第部分辐射发射测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求

———3:。。

第部分传导发射测量直接耦合法目的在于规定直接耦合法的

———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

试验程序和试验要求

。

第部分传导发射测量直接耦合法应用指南目的在于给出直

———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

接耦合法应用指导

。

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序

———5:。

和试验要求

。

第部分传导发射测量磁场探头法目的在于规定磁场探头法的试验程序和试验要求

———6:。。

第部分辐射发射测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求

———8:IC。IC。

Ⅳ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

集成电路电磁发射测量

第6部分传导发射测量磁场探头法

:

1范围

本文件描述了使用微型磁场探头以非接触式的电流测量来评估集成电路引脚射频电流

(IC)(RF)

的方法

。

该方法测量在频率范围内产生的电流适用于标准试验板上的单个或一

IC150kHz~1GHzRF,

组的测量以用来表征和对比的电流该方法也用于评估实际使用的印制电路板上

IC,ICRF。(PCB)

的单个或一组的电磁特性以减小发射该方法称为磁场探头法

IC。“”。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

集成电路电磁发射测量第部分通用条件和定义

IEC61967-1150kHz~1GHz1:

(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto1GHz—Part1:General

conditionsanddefinitions)

注集成电路电磁发射测量第部分通用条件和定义

:GB/T44937.1—20251:(IEC61967-1:2018,IDT)

集成电路电磁发射测量第部分传导发射测量直

IEC61967-4150kHz~1GHz4:1Ω/150Ω

接耦合法

(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto1GHz—Part4:Meas-

urementofconductedemissions—1Ω/150Ωdirectcouplingmethod)

注集成电路电磁发射测量第部分传导发射测量直接耦合法

:GB/T44937.4—20244:1Ω/150Ω

(IEC61967-4:2021,IDT)

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

IEC61967-1。

4概述

41测量基础

.

的辐射发射部分是由电路板上产生的电流引起的该电流激励走线

PCB,ICRF,RFPCB、

地平面和电源平面以及连接该的电缆以上这些都能作为天线产生辐射发射发射电

PCBPCB。RF。

平与驱动电流成正比同时也受的设计伪天线的辐射效率以及从到伪天线的噪声耦

RF,PCB、“”IC“”

合路径系数的显著影响

。

对于这种发射机理的驱动电动势能是用户和制造商估计和预测模块或系统的电磁特性

,ICPCB、

的重要参数发射驱动电动势的度量能通过测量受试产生的电流来实现因此测得的噪

。ICRF。,RF

声电流能反映非期望电磁发射的驱动电动势

IC。

1