适用范围：本文件描述了集成电路(IC)抗静电放电(ESD，IEC 61000-4-2)以及电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)的宏模型的提取流程。 过压、热损伤和其他失效模式会造成物理损伤以及功能性故障，该模型提供了建模解决方案。 该模型允许在应用中对IC进行抗扰度仿真。该模型通常称为集成电路抗扰度模型-传导脉冲抗扰度(ICIM-CPI)。 ICIM-CPI宏模型适用于对数字IC、模拟IC以及混合信号IC进行建模。IC的几个端子(如输入、输出和电源引脚)可能是单一模型的一部分。ICIM-CPI宏模型能用于表征过电压保护电路的非线性行为。 ICIM-CPI宏模型能在不同的软件工具中实现时域电路仿真，其建模方法允许在组件级或系统级仿真由于ESD或EFT导致的器件失效。该方法涵盖了集成电路抗扰度仿真必要的所有组件，如PCB或外部保护元件。 本文件详细描述了基于一种特定XML格式构建模型的情况，该格式适用于模型的数据交互，而不需要任何更深的半导体电路知识。然而，模型的功能可能用不同的格式实现，包括但不限于表格、SPICE网表、硬件描述语言如VHDL-AMS和Verilog-AMS。 本文件主要包括两个部分： ——代表IC电、热或者逻辑行为的ICIM-CPI宏模型元素的描述； ——一种基于XML的通用数据交换格式。

适用范围：本文件规定了推导仿真集成电路（IC）传导抗扰度电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路抗扰度模型-传导抗扰度（ICIM-CI），旨在用于预测对施加在IC引脚上的传导射频（RF）骚扰的抗扰度电平。 为了评估电子设备的抗扰度阈值，该宏模型需插入到电路仿真工具中。 该宏模型能用于对模拟和数字IC（输入/输出、数字核和电源）建模，没有考虑IC的非线性影响。 ICIM-CI的其他价值是其还能通过仿真用于板级和系统级的抗扰度预测。 本文件主要包括两个部分： ——ICIM-CI宏模型元素的电气描述； ——基于XML的称为CIML的通用数据交换格式。此格式以更实用和通用的形式对ICIM-CI进行编码以仿真抗扰度。

适用范围：本文件描述了电容式指纹采集芯片参数测试方法。 本文件适用于电容式指纹采集芯片的参数测试。

适用范围：本文件提供了半导体集成电路产品的可靠性鉴定方案的指南。本文件不适用于军事和航天相关应用场景。第4章中以汽车应用A、汽车应用B和消费级应用这3个产品类别为示例进行介绍。 注1： 本文件基于EDR4708、AEC Q100、JESD47或其他相关文件改编。若有明确规定，生产商也能依据本文件使用灵活的样本量来降低成本并保持合理的可靠性。 注2： 本文件中使用的威布尔分布方法是在给定的可靠性项目下计算适当样本量和试验条件的方法之一。

适用范围：本文件描述了网络条件下以太网收发器集成电路(IC)电磁兼容(EMC)评估的试验和测量方法。定义了试验配置、试验条件、试验信号、失效判据、试验程序、试验布置和试验电路板。适用于以下以太网系统的收发器： ——100BASE-T1，符合ISO/IEC/IEEE 8802-3:2021； ——100BASE-TX，符合ISO/IEC/IEEE 8802-3:2021； ——1000BASE-T1，符合ISO/IEC/IEEE 8802-3:2021。 并包括以下试验项目： ——射频(RF)骚扰发射； ——RF骚扰抗扰度； ——脉冲抗扰度； ——静电放电(ESD)抗扰度。

适用范围：本文件规定了半导体器件封装用金属基梯度材料外壳通用设计、材料设计、结构设计、表面处理设计和图纸绘制要求。 本文件适用于半导体器件封装用金属基梯度材料外壳（以下简称“外壳”）的设计和制造。

适用范围：本文件适用于半导体制造领域中静电吸盘在真空环境下的温度均匀性测试。 本文件规定了半导体设备用静电吸盘真空条件下温度均匀性的测试原理、仪器设备、样品、测试方法、精密度

适用范围：本文件规定了半导体集成电路（以下简称“器件”）的引出端功能的文字符号。 本文件适用于半导体集成电路产品引出端的识别。

适用范围：本文件规定了微波集成电路放大器的基本额定值和特性，描述了测试方法以及验证方法。 本文件适用于微波集成电路放大器的设计、研制、生产和检验。

适用范围：本文件规定了微波集成电路倍频器的术语、基本额定值、特性以及测量方法。

适用范围：本文件规定了汽车用多芯片模组的应力试验要求、鉴定、重新鉴定和鉴定检验。 本文件适用于汽车用多芯片模组（以下简称器件）应力试验验证。本文件不适用下列情况（器件）： a）被一级供应商或整车厂将多个器件或多芯片模组直接装配到系统的情况； b）光电半导体器件，例如发光二极管； c）微机电传感器，例如压力传感器； d）功率模块，例如集成了IGBT、MOSFET、二极管、传感器、电容等的功率模块； e）固态硬盘（固态驱动器）； f）组件/模组的外部连接不是通过焊接到印刷电路板上使用的情况。

适用范围：本文件描述了网络条件下控制器局域网(CAN)收发器集成电路（IC）的电磁兼容(EMC)评估的试验和测量方法，定义了试验配置、试验条件、试验信号、失效判据、试验程序、试验布置和试验板。 本文件适用于标准CAN收发器、具有部分网络功能的CAN收发器和具有灵活数据速率能力的CAN收发器，包括射频（RF）骚扰发射、RF骚扰抗扰度、脉冲抗扰度、静电放电（ESD）抗扰度。

适用范围：本文件规定了微波集成电路衰减器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：本文件描述了网络条件下局域互联网络(LIN)收发器集成电路(IC)的电磁兼容(EMC)评估的试验和测量方法，规定了试验配置、试验条件、试验信号、失效判据、试验程序、试验布置和试验板。 本文件适用于标准LIN收发器IC和内置LIN收发器IC，包括射频(RF)骚扰发射、RF骚扰抗扰度、脉冲抗扰度、静电放电(ESD)抗扰度。

适用范围：本文件规定了微波集成电路变频器的基本额定值和特性,描述了测试方法。

适用范围：本文件规定了进行数字信号收发的硅通孔（TSV）的电气特性参考模型，用于三维集成电路（3D IC）接口设计，并描述了3D IC中表征TSV特性的电阻和电容的测试方法。 适用于本文件的三维集成电路如下： ——应用：数字消费和移动设备； ——工作电压：0.1 V~5.0 V； ——工作频率：小于2.0 GHz。 本文件不适用于测试设备。图1是一个多芯片互连系统的典型示例，用于后续规范的说明。

适用范围：本文件描述了评估集成电路（IC）表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅能扫描IC，还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射，宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行，也能在时域进行。

适用范围：本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。 本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。 IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

适用范围：本文件描述了使用带状线测量集成电路（IC）电磁辐射发射的方法。被评估IC安装在IC带状线结构的有效导体和地平面之间的EMC试验板（PCB）上。