适用范围：本文件适用于长期贮存的无源电子器件，能作为延缓淘汰策略的一部分。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。通常原始供应商将产品贴上包装日期或日期代码后才开始贮存。经销商和客户都有责任在收到标有日期的产品后控制和管理库存，或者建立供应商-客户协议来管理库存。本文件提供了有效进行无源电子器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

适用范围：本文件规定了微电子机械器件(MEMS)长期贮存方法和推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件也提供了有效进行微电子机械器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。

适用范围：本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。

适用范围：本文件规定了使用电流耦合人体通信的胶囊内窥镜半导体接口电气性能的通用要求，包括接口的一般要求和功能要求。本文件涵盖的半导体接口是在人体内的胶囊内窥镜和人体外接收设备中的人体通信调制解调器之间处理或传输电信号的接口。 注： 使用人体通信胶囊内窥镜的其他信息见附录A。

适用范围：本文件的目的是确定固态半导体器件上的标志,在涂抹和去除标签、或使用溶剂和清洗液(通常用于去除印刷电路板制造过程中的焊剂残留)后是否仍清晰。 本文件适用于所有封装类型,用于鉴定和/或工艺监控。本试验是非破坏性的,电气或机械损伤能作为本试验的判据。 注1:本试验不适用于激光打标。 许多可用的溶剂或活性不够,或管控严格,或在直接接触或吸入烟雾时对人类有危险。 注2:相较常用的涂料和标志,本试验中使用的溶剂成分被认为是典型和具有代表性的。

适用范围：本文件规定了人体通信(HBC)中使用的半导体接口的通用要求，包括接口的功能要求、极限值，以及工作条件要求。 注：关于HBC人体通信的补充资料见附录A。

适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件规定了加速度计的特性、基本额定值，描述了相应的测量方法。 本文件适用于所有类型的半导体加速度计产品。 本文件不仅适用于典型内置电路的半导体加速度计，也适用于外置电路的半导体加速度计。 本文件不违反（或妨碍）客户和供应商之间以新业务模型或业务数据签订的商业协议。

适用范围：本文件描述了应用于半导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法。 潮气扩散率和水溶解度两个参数是有效表征塑封半导体器件暴露于潮湿环境和经受高温回流焊之后可靠性的重要参数。

适用范围：本文件适用于处于自由态和组装到印制电路板上的半导体器件，以确定器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力。印制板组装是一种在组装到印制电路板的使用条件下，试验器件耐机械冲击能力的方法。机械冲击由突然施加的力，及装卸、运输或现场操作中的突然受力而产生，这种类型的冲击可能破坏工作特性，特别是在冲击脉冲重复的情况下。本试验适用于器件鉴定的破坏性试验。

适用范围：本文件描述了一个在加速试验环境中评估和比较手持电子产品中表面安装器件跌落性能的试验方法，跌落试验过程中电路板过大弯曲会引起电子产品的失效。本文件目的是使试验电路板和试验方法标准化，能提供对表面安装器件跌落试验的可重复评估，使在产品级测试中可得到相同的失效模式。本文件规定了一个标准的试验方法和报告要求。本文件与器件鉴定试验、判定手持电子产品合格与否的系统级跌落试验、模拟运输和搬运器件或印制电路板组件产生的相关振动试验不同，例如GB/T 4937.10-2025中规定了这些试验的方法要求。本方法适用于面阵列封装和四边引线表面安装封装。本试验方法使用加速度计测量机械冲击的持续时间和振幅，振幅与安装在标准板上的给定器件的力的大小成比例。IEC 6074940中描述了一种使用应变仪测量器件周边电路板的应变和应变率的试验方法。详细规范说明使用的试验方法。

适用范围：本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。 本试验方法的目的是检测半导体器件的漏率。

适用范围：本文件描述了一种评估和比较加速试验环境中手持电子产品应用的表面安装半导体器件跌落性能的试验方法，其中电路板过度弯曲会导致产品失效。目的是使试验方法标准化，以提供表面安装半导体器件跌落试验性能的可再现性评估，同时复现产品级试验期间常见的失效模式。 本文件适用于使用应变仪测量器件附近电路板的应变和应变率。IEC 60749-37适用于使用加速度计测量施加的机械冲击持续时间和强度，该强度与安装在标准板上的给定器件所受的应力成比例。详细规范中说明使用哪种试验方法。 注1：尽管本试验能评估由安装方式及其条件、印刷电路板（PCB）设计、焊接材料以及半导体器件的安装能力等结合在一起的结构，但不能单独评估半导体器件的安装能力。 注2：本试验的结果受到不同焊接条件、PCB焊盘图案设计和焊接材料等影响比较大。因此，本试验不能从根本上保证半导体器件焊点的可靠性。 注3：当本试验产生的机械应力在器件实际使用中不会发生时，本试验不适用。

适用范围：本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。 本文件适用于半导体PN结温度传感器，描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

适用范围：无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验，在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面。 本文件适用于确认封装内部失效机理，为破坏性试验。

适用范围：本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。 本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

适用范围：本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。 本方法为强加速试验，是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置，以确保潜在的失效机理不能由偏置造成（例如电化学腐蚀)。 本试验用于确定封装内部的失效机理，是一种破坏性试验。 注：本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写（无偏置电压)。

适用范围：本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。 注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。