国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译:GB/T 4023.3-2026 Discrete semicondutor devices—Part 3:Signal,switching and regulator diodes适用范围:本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号,符号,基本额定值和特性,测试方法,接收和可靠性要求。 本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括: --信号二极管(不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管); --开关二极管(不包括大功率整流二极管); --电压调整二极管; --电压基准二极管; --电流调整二极管。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 45716.1-2026 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs适用范围:本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。 本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 46567.2-2026 Intelligent computing—Test method for memristor—Part 2:Linearity适用范围:本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时,电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 42709.3-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 3:Thin film standard test piece for tensile testing适用范围:本文件规定了一种标准试验片,用于保证长度和宽度均小于1 mm、厚度小于10 μm的薄膜材料拉伸试验的适用性和准确性,该类薄膜材料是微机电系统(MEMS)、微机械和同类器件使用的主要结构材料。 本文件为了确保拉伸试验系统的适用性和准确性,测试用标准试验片的拉伸强度应是可预计的,且在测试系统测试范围内。同时也对试验片进行了详细规定,以最小化试验片之间的性能偏差。【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 4023.4-2026 Discrete semiconductor devices—Part 4:Microwave diodes and transistors适用范围:本文件规定了微波二极管和晶体管的术语和定义、基本额定值和特性、测试方法及验证方法等产品特定要求。 本文件适用于以下各类微波二极管和晶体管: ———变容二极管(用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等); ———阶跃二极管(用于梳状谱发生器、倍频器等); ———混频二极管(用于混频器等); ———检波二极管(用于检波器等); ———体效应二极管(用于振荡器、放大器等); ———PIN二极管(用于开关、限幅器、移相器、衰减器等); ———噪声二极管(用于固态噪声源等); ———双极型晶体管(用于放大器、振荡器); ———场效应晶体管(用于放大器、振荡器)。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L45微波、毫米波二、三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 42709.2-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 2:Tensile testing method of thin film materials适用范围:本文件描述了长度和宽度均小于1 mm,厚度小于10 μm的薄膜材料的拉伸试验方法,该类薄膜材料是微机电系统(MEMS)、微机械和同类微型器件的主要结构材料。 微机电系统、微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征,如典型尺寸为微米级、材料采用淀积工艺制备、试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备。本文件规定的试验方法,能保证这类特殊性材料试验结果的准确性。【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 4937.201-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 20-1:Handling,packing,labelling and shipping of surface-mount devices sensitive to the combined effect of moisture and soldering heat适用范围:本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 42706.9-2026 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 9:Special cases适用范围:本文件规定了在特殊情况下的贮存方法,产品内部包含以封装或电路板形式存在的各种类型的硅器件和半导体器件,贮存形式包括完整组装单元或子组装单元。本文件还适用于异构器件,但需特别注意组件或集成形式的存储器。 本文件提供了用户和供应商交互的指南及要求,以应对这类场景的复杂性。 注:在IEC 62435(所有部分)中“元器件”一词与裸片、晶圆、无源器件以及封装器件互换使用。【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
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译:GB/T 7576-2026 Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors适用范围:本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。 本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 4023.1-2026 Discrete semiconductor devices—Part 1:Sectional specification适用范围:本文件规定了半导体分立器件(以下简称“器件”)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 11499-2026 Letter symbols for discrete semiconductor devices适用范围:本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管,信号、开关和调整二极管,晶闸管,双极型晶体管,场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管,绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 7581-2026 Dimensions of outlines for discrete semiconductor devices适用范围:本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 17573-2026 Semiconductor devices—General适用范围:本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集成电路的通用要求(见附录A)。 注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 6217-2026 Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors适用范围:本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。 本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
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译:GB/T 4937.28-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 28:Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testing—Charged device model(CDM)—device level适用范围:本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试,元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法,另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏 -
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译:GB/T 42706.8-2026 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 8:Passive electronic devices适用范围:本文件适用于长期贮存的无源电子器件,能作为延缓淘汰策略的一部分。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。通常原始供应商将产品贴上包装日期或日期代码后才开始贮存。经销商和客户都有责任在收到标有日期的产品后控制和管理库存,或者建立供应商-客户协议来管理库存。本文件提供了有效进行无源电子器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏 -
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译:GB/T 42706.7-2026 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 7:Micro-electromechanical devices适用范围:本文件规定了微电子机械器件(MEMS)长期贮存方法和推荐条件,包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件也提供了有效进行微电子机械器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏 -
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译:GB/T 47240.4-2026 Semiconductor devices—Semiconductor interface for human body communication—Part 4:Capsule endoscope适用范围:本文件规定了使用电流耦合人体通信的胶囊内窥镜半导体接口电气性能的通用要求,包括接口的一般要求和功能要求。本文件涵盖的半导体接口是在人体内的胶囊内窥镜和人体外接收设备中的人体通信调制解调器之间处理或传输电信号的接口。 注: 使用人体通信胶囊内窥镜的其他信息见附录A。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏 -
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译:GB/T 4937.41-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 41:Test method for reliability of non-volatile memory devices适用范围:本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏 -
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译:GB/T 249-2026 Rule of type designation for discrete semiconductor devices适用范围:本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-02-27 | 实施时间: 2026-09-01收藏
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