国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：T/CEATEC 315-2026 Technical requirements for PCBA online 3D automatic optical inspection (3D AOI) equipment【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2026-10-14 | 实施时间： 2026-10-14收藏 -
现行
译：T/CEATEC 314-2026 Technical requirements for high-precision 2D/3D automatic optical inspection equipment for advanced packaging【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2026-10-14 | 实施时间： 2026-10-14收藏
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现行
译：T/CEATEC 316-2026 Technical requirements for inline automatic optical inspection equipment for PCB etched circuit pattern【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2026-10-14 | 实施时间： 2026-10-14收藏
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即将实施
译：GB/T 48163.1-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 1:Vibration based piezoelectric energy harvesting适用范围：本文件界定了基于振动的压电能量收集器的术语、定义、符号和结构,描述了用于评估和确定压电能量收集器性能的测试方法。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天中应用的基于振动的压电能量收集器件,对器件技术、形状和尺寸不作限制。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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即将实施
译：GB/T 48163.2-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2:Thermo power based thermoelectric energy harvesting适用范围：本文件规定了微型热电能量发生器、微型加热器和微型冷却器中薄膜热功率的定义和测试步骤,以及用于评估线、块、厚度小于5μm的薄膜和具有热电薄膜的能量收集器件热电性能的测试方法和性能参数。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天领域中的能量收集器件,对器件技术及尺寸不作限制。 注:热电能量发生器的相关说明见附录A。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 43789.33-2026 Electronic paper displays—Part 3-3:Optical measuring methods for displays with integrated lighting units适用范围：本文件描述了用于具有集成照明单元（如前光)的电子纸显示器件（EPD)光学性能的标准测试条件和测试方法。 本文件适用于使用单色或彩色的段码或点阵结构的电子纸显示器件，以及在黑暗或室内照明环境中打开集成照明单元（ILU)的反射模式下运行的电子纸显示器件。 本文件不适用于三基色以外色系的电子纸显示器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 48163.8-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 8:Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics适用范围：本文件界定了柔性和可拉伸超级电容器的术语和定义,描述了用于确定柔性和可拉伸超级电容器性能的测试和评估方法。超级电容器实际应用于低功耗电子产品,如能量采集的储存器件、可拉伸的电子产品、低功耗设备、物联网(loT)应用等。 本文件适用于所有柔性和可拉伸超级电容器的消费者和制造商,对器件技术和尺寸不作限制。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 4023.2-2026 Discrete semiconductor devices—Part 2:Rectifier diodes适用范围：本文件界定了半导体分立器件产品专用的术语、文字符号,规定了基本额定值和特性(性能)及标志要求,描述了验证和测量方法、型式试验、常规试验及耐久性试验。 本文件的半导体分立器件产品包括: ——普通整流二极管; ——雪崩整流二极管; ——快开关整流二极管; ——肖特基势垒二极管。 在没有歧义的情况下,上述任何一种类型均能简称为二极管。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 48163.3-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3:Vibration based eletromagnetic energy harvesting适用范围：本文件规定了基于振动的电磁能量收集器的术语、定义,描述了用于评估和确定电磁能量收集器性能的测试方法。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天中应用的基于振动的电磁能量收集器件,对器件技术、形状和尺寸不作限制。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 48163.5-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 5:Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices适用范围：本文件界定了柔性热电器件的术语、定义,描述了用于评估和确定柔性热电器件性能的测试方法以及柔性热电器件的温度、温差、接触条件、绝缘和弯曲半径等试验条件。 本文件适用于柔性半导体器件中的柔性热电器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 48216.2-2026 Semiconductor devices—Generic qualification guidelines—Part 2:Concept of mission profile in reliability qualification适用范围：本文件基于产品的工作环境条件和预定用途,给出了制定可靠性鉴定中任务剖面的概念及计算方法的指南。 本文件适用于非军事和非航天航空的相关应用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-09-28 | 实施时间： 2027-04-01收藏
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译：GB/T 47239.5-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 5:Test method for thermal characteristics of flexible materials适用范围：本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。 本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 47239.3-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 3:Evaluation of thin film transistor characteristics on flexible substrates under bulging适用范围：本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。 本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 47239.4-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 4:Fatigue evaluation for flexible conductive thin film on the substrate for flexible semiconductor devices适用范围：本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法。薄膜样品主要包括沉积或粘接在非导电柔性基板上的薄膜,例如用于柔性半导体器件的金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜。疲劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 47239.6-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 6:Test method for sheet resistance of flexible conducting films适用范围：本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 47239.2-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 2:Evaluation method for electron mobility,sub-threshold swing,and threshold voltage of flexible devices适用范围：本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 48168-2026 Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors适用范围：本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 48164.2-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation适用范围：本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。 硅功率晶体管通常不要求进行此试验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 20521.12-2026 Semiconductor devices—Part 14-12:Semiconductor sensors—Performance test methods for CMOS imager-based gas sensors适用范围：本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。 本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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译：GB/T 48170-2026 Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor(GaN HEMT) based power conversion devices适用范围：本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况: a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件; b) GaN集成功率芯片; c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。 提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01收藏
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