GB/T 17573-2026 半导体器件 总则

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

代替GB/T17573—1998

半导体器件总则

Semiconductordevices—General

IEC60747-12006Semiconductordevices—Part1GeneralIDT

(:,:,)

2026-03-31发布2026-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

符号

4………………………6

概述

4.1…………………6

电流电压和功率的符号

4.2、……………6

以对数标度单位表示的信号比的符号

4.3dB…………8

其他电特性的符号

4.4…………………8

其他量的符号

4.5………………………10

极限值表示

4.6…………………………11

基本额定值和特性

5………………………12

通则

5.1…………………12

工作条件额定值和特性之间的关系

5.2、……………12

数据资料发布的标准格式

5.3…………13

型号识别

5.4……………13

引出端和引出端极性识别

5.5…………13

电额定值和特性

5.6……………………14

冷却条件

5.7……………14

推荐的温度

5.8…………………………15

推荐的电压和电流

5.9…………………15

机械额定值极限值

5.10()……………15

机械特性

5.11…………………………16

具有公用封装的复合半导体器件

5.12………………16

测试方法

6…………………17

概述

6.1…………………17

可替代的测试方法

6.2…………………17

测试精度

6.3……………17

对器件和测试设备的保护

6.4…………17

测试方法的热条件

6.5…………………18

测试电路的精度

6.6……………………18

分立器件的接收和可靠性

7………………19

Ⅰ

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

通则

7.1…………………19

电耐久性试验

7.2………………………20

静电敏感器件

8……………22

标志和符号

8.1…………………………23

对短电压脉冲敏感的半导体器件的试验方法

8.2……………………24

产品制造终止通知

9………………………24

定义

9.1…………………24

制造终止的通用方面

9.2………………24

制造终止通知的资料信息

9.3…………24

通知

9.4…………………25

保留

9.5…………………25

附录资料性所有部分和所有部分的说明

A()IEC60747()IEC60748()…………26

所有部分的范围

A.1IEC60747()……………………26

所有部分的范围

A.2IEC60748()……………………26

所有部分和所有部分的非部分的介绍

A.3IEC60747()IEC60748()IECQ……27

附录资料性本文件与上一版年版章条结构的比较

B()(1998)………29

参考文献

……………………34

Ⅱ

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体器件分立器件和集成电路第部分总则与

GB/T17573—1998《1:》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T17573—1998,,:

删除了半导体转移电子效应半导体器件的电极混合集成电路的部分完工集成电

a)“”“”“()”“()

路等效热网络热阻开启时间t等术语见年版的第篇中的

”“”“on”(1998Ⅳ2、3.1.1~3.1.3、

3.1.6、3.1.7、3.1.10、3.1.11、3.2、3.7.1、3.7.3~3.7.6、3.8、3.9、4、5.1、5.2.4、5.2.6、5.3.1、5.3.3、

更改了术语无源元件

5.3.5、5.3.6、5.4.1、5.4.3~5.4.5、5.5.3~5.5.4、5.6、6、7.1.1、7.1.3、7.2),“”

有源器件见年版的第篇中的

“”(3.2.1、3.2.2,1998Ⅳ3.8.2、3.8.1);

删除了等效输入噪声电压两端口的等效输入噪声电流两端口的的文字符号见

b)“()”“()”(

年版的第篇中的删除了电流电压和功率文字符号的摘要表见年版的

1998Ⅴ4.5),“、”(1998

第篇中的

Ⅴ2.3);

更改了周期量值应用示例复合器件的下标中的示例电流电压极性表示关于下标的补

c)“”“”“、”“

充规定中的内容见年版的第篇中的增加

”(4.2.1、4.2.7、4.2.8,1998Ⅴ2.4、2.2.3.5、2.5、2.2.3),

了微分见时间下标见和极限值表示见

“”(4.4.4)、(4.5.2)“”(4.6);

删除了定义见年版的第篇中的双极型晶体管基极发射极和集电极引

d)“3.1”(1998Ⅵ3.1),、

出端的位置见年版的第篇中的具有四个引出端的高频双极型晶体管的引出端

(1998Ⅵ8.1),

位置见年版的第篇中的更改了引出端和引出端极性识别见年版的

(1998Ⅵ8.2),(5.5,1998

第篇中的第章推荐温度见年版的第篇中的第章冷却条件见

Ⅵ9)、(5.8,1998Ⅵ5)、(5.7,

年版的第篇中的第章推荐电压和电流见年版的第篇中的第章

1998Ⅵ4)、(5.9,1998Ⅵ6)、

产品的离散性和一致性见年版的第篇中的第章机械特性尺寸说明见

(5.2.3,1998Ⅵ11)、“”(

年版的第篇中的具有公用封装的复合半导体器件见年版的

5.11.1,1998Ⅵ7.3)、(5.12,1998

第篇中的第章增加了工作条件额定值和特性之间的关系见电额定值和特

Ⅵ10),“、”(5.2)、“

性见安装条件见

”(5.6)、“”(5.10.2);

更改了测试精度见年版的第篇中的对器件和测试设备的保护见

e)(6.3,1998Ⅶ2.2)、(6.4,

年版的第篇中的测试方法的热条件见年版的第篇中的测试

1998Ⅶ2.1)、(6.5,1998Ⅶ2.2.1)、

电路的精度见年版的第篇中的和增加了可替代的测试方法

(6.6,1998Ⅶ2.2.2~2.2.52.3),

见

(6.2);

删除了特殊要求通用部分中的耐久性试验表耐久性试验条件耐久性试验后接收的判

f)“()”、、,

定失效特性和失效判据可靠性试验的判定失效特性和失效判据表耐久性试验后接收试

、、Ⅰ“,

验的判定失效特性和表耐久性试验的条件见年版的第篇中的

”Ⅱ“”(1998Ⅷ3.1~3.4、

更改了支撑点温度要求见年版的第篇中的试验持续时间的列

3.6),(7.2.3.1,1998Ⅷ2.1.2)、

表示例数值见年版的第篇中的

(7.2.8,1998Ⅷ2.2.1);

删除了静电敏感器件操作注意事项见年版的第篇的第章短电压脉冲敏感的半导

g)(1998Ⅸ1),

体器件的试验方法试验电路和说明遵守的预防措施试验程序规定的条件见年版的

、、、(1998

第篇的

Ⅸ3.2~3.5);

增加了产品制造终止通知见第章

h)(9)。

本文件等同采用半导体器件第部分总则

IEC60747-1:2006《1:》。

Ⅲ

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与我国现有标准体系协调将标准名称改为半导体器件总则

———,《》;

纳入了的修正内容所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂

———IEC60747-1:2006/AMD1:2010,

直双线进行了标示

(||);

第章示例中更正为

———44.3“log”“lg”;

第章图和图更正为图和图

———8“4a)”“4b)”“3a)”“3b)”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位河北北芯半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所华东光电

:、、

集成器件研究所淄博芯材集成电路有限责任公司石家庄天林石无二电子有限公司西安电子科技大

、、、

学天津大学中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区常州银河世纪微电子股份有限公司江西万年

、、、、

晶半导体有限公司迅芯微电子苏州股份有限公司西安空间无线电技术研究所深圳通锐微电子技

、()、、

术有限公司新启航半导体有限公司北京伊泰克电子有限公司深圳市朗帅科技有限公司广东方舟智

、、、、

造科技有限公司广州正业电子科技股份有限公司北京市科通电子继电器总厂有限公司山东阅芯电

、、、

子科技有限公司

。

本文件主要起草人刘涛陈丙根迟雷覃祥丽赵玉玲王宇涛吕瑞芹焦龙飞桂明洋彭浩

:、、、、、、、、、、

席善斌胡松祥曹耀龙安伟王冲郑雪峰王超孙宏军杨洁贾林陈亚洲胡小锋周晓黎张文华

、、、、、、、、、、、、、、

陈龙坡高金环闫彦萍庄建军白俊春李崧岩唐旭陈娜张恒王庭云任源邓家榆孔令海王正克

、、、、、、、、、、、、、、

赖耀康朱阳军

、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———1998GB/T17573—1998;

本次为第一次修订

———。

Ⅳ

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

引言

半导体器件是电子行业的通用基础产品为电子系统中的最基本单元其性能与可靠性直接影响工

,,

程质量和可靠性本文件是半导体器件产品标准是半导体器件进行研制生产和检验的基础性和通用

。,

性标准对于规范半导体器件的参数体系验证测试方法及质量考核起着重要作用

,、、。

Ⅴ

GB/T17573—2026/IEC60747-12006

:

半导体器件总则

1范围

本文件规定了适用于其他部分及所有部分所涵盖的半导体分立器件和集

IEC60747IEC60748()

成电路的通用要求见附录

(A)。

注本文件与上一版年版章条结构的比较见附录

:(1998)B。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

质量管理体系基本原理和词汇

ISO9000(Qualitymanagementsystems—Fundamentalsand

vocabulary)

注质量管理体系基础和术语

:GB/T19000—2016(ISO9000:2015,IDT)

所有部分电工技术用文字符号

IEC60027()(Lettersymbolstobeusedinelectricaltechnology)

注电子管参数符号

:GB/T2987—1996(IEC60027-1:1992、IEC60027-2:1972,NEQ)

国际电工词汇第部分半导体器件和集成电路

IEC60050-521(IEV)521:[InternationalElec-

trotechnicalVocabulary(IEV)—Part521:Semiconductordevicesandintegratedcircuits]

注电工术语半导体器件和集成电路

:GB/T2900.66—2004[IEC60050-521:2002,IDT]

国际电工词汇第部分振荡信号和相关器件

IEC60050-702(IEV)702:,[InternationalElectro-

technicalVocabulary(IEV)—Part702:Oscillations,signalsandrelateddevices]

注电工术语振荡信号和相关器件

:GB/T14733.7—2008、(IEC60050-702:1992,IDT)

所有部分环境试验

IEC60068()(Environmentaltesting)

注所有部分环境试验所有部分

:GB/T2423()[IEC60068()]

半导体器件的机械标准化第部分尺寸

IEC60191-22:(Mechanicalstandardizationofsemicon-

ductorofsemiconductordevices—Part2:Dimensions)

所有部分半导体器件

IEC60747()(Semiconductordevices)

所有部分半导体器件集成电路

IEC60748()(Semiconductordevices—Integratedcircuits)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度试验人

IEC60749-2626:(ESD)

体模式

(HBM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part26:Electrostatic

discharge(ESD)sensitivitytesting—Humanbodymodel(HBM)]

注半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度试验人体模

:GB/T4937.26—2023