GB/T 11499-2026 半导体分立器件文字符号

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T11499—2026

代替GB/T11499—2001

半导体分立器件文字符号

Lettersymbolsfordiscretesemiconductordevices

2026-03-31发布2026-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T11499—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

总体要求

4…………………2

整流二极管

5………………2

信号开关和调整二极管

6、…………………3

下标含义

6.1……………3

信号和开关二极管文字符号

6.2………………………4

电压基准二极管和电压调整二极管文字符号

6.3……………………4

电流调整二极管文字符号

6.4…………5

晶闸管

7……………………5

下标含义

7.1……………5

文字符号

7.2……………6

双极型晶体管

8……………8

下标含义

8.1……………8

双极型晶体管文字符号

8.2……………9

配对双极型晶体管文字符号

8.3………………………14

电阻偏置型晶体管文字符号

8.4………………………14

场效应晶体管

9……………14

下标含义

9.1……………14

场效应晶体管文字符号

9.2……………14

配对场效应管文字符号

9.3……………18

集成反向二极管的沟道场效应晶体管文字符号

9.4N……………18

砷化镓微波场效应晶体管文字符号

9.5………………19

场效应晶体管文字符号

9.6MOS……………………19

绝缘栅双极晶体管

10(IGBT)……………19

下标含义

10.1…………………………19

绝缘栅双极晶体管文字符号

10.2……………………20

绝缘功率半导体器件

11…………………22

下标含义

11.1…………………………22

文字符号

11.2…………………………22

微波二极管和晶体管微波应用

12()……………………23

Ⅰ

GB/T11499—2026

变容二极管文字符号

12.1……………23

阶跃二极管文字符号

12.2……………23

混频二极管文字符号

12.3……………24

检波二极管文字符号

12.4……………24

体效应二极管文字符号

12.5…………25

二极管文字符号

12.6PIN……………26

噪声二极管文字符号

12.7……………26

双极型晶体管文字符号

12.8…………27

场效应晶体管文字符号

12.9…………28

附录资料性主要技术内容变化

A()……………………30

参考文献

……………………33

Ⅱ

GB/T11499—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体分立器件文字符号与相比除结构

GB/T11499—2001《》,GB/T11499—2001,

调整和编辑性改动外主要技术变化见附录

,A。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位河北北芯半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所华东光电

:、、

集成器件研究所河北科技大学石家庄天林石无二电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研

、、、

究所安徽安芯电子科技股份有限公司西安电力电子技术研究所有限公司西安电子科技大学天津大

、、、、

学中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区盐城矽润半导体有限公司浙江蓝洋智能科技有限公司

、、、。

本文件主要起草人刘涛王文婧王宇涛曹耀龙赵宇洋迟雷赵玉玲蔚红旗吴维丽李虹

:、、、、、、、、、、

张小明安启跃焦龙飞桂明洋彭浩席善斌胡松祥安伟周晓黎张文华陈龙坡王冲郑雪峰

、、、、、、、、、、、、、

王超孙宏军杨洁贾林陈亚洲胡小锋蒋武安江涛

、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1989GB/T11499—1989,2001;

本次为第二次修订

———。

Ⅲ

GB/T11499—2026

半导体分立器件文字符号

1范围

本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管信号开关和调整二极管晶闸管双极型晶体

,、,,

管场效应晶体管绝缘栅双极晶体管绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字

,,,

符号

。

本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件总则

GB/T17573—2026

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T17573—2026。

31

.

绝缘功率半导体器件isolatedpowersemiconductordevices

散热表面或底板与任何绝缘的电路元件之间含有不可或缺的电气绝缘体的功率半导体器件

。

311

..

底板baseplate

封装的一部分其冷却表面将热量从内部传递到外部

,。

312

..

主端子mainterminal

功率电路中具有高电位且承载主电流的端子

。

注该端子可能含有一个以上物理形式的连接器

:。

313

..

控制端子controlterminal

为控制功能而设置的具有小电流能力的端子外部控制信号施加到该端子或从该端子获取监测

,

参数

。

3131

...

高压控制端子highvoltagecontrolterminal

与绝缘的电路元件存在电气连接但仅承载实现控制功能的小电流的端子

,。

注例如有电流分流器和具有主端子高电位的集电极监测端子

:。

1