适用范围：本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。 ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。 ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

适用范围：本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。 本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便: ● 预测IC的近场辐射发射; ● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。 本文件包括两个主要部分: ● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述; ● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。

适用范围：本文件给出了0.80 mm或更小引出端节距的密节距焊盘阵列封装（FLGA）的标准外形图、尺寸及推荐的范围值。

适用范围：本文件描述了评估近电场、近磁场或近电磁场分量对集成电路（IC）影响的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也可用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅可扫描IC，还可扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描抗扰度，宜使用IEC 62132-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC对其上方的电场或磁场近场骚扰的敏感度（抗扰度）图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。本测量方法使用连续波(CW)、幅度调制(AM)或脉冲调制(PM)信号在频域进行。

适用范围：本文件描述了电子元器件长期贮存过程中数据存储的各方面要求，这些要求是使用长期贮存后的电子元器件所必需的，同时可保持可追溯性或数据链完整性。为了避免存储期间丢失数据，本文件规定了需要与元器件或芯片一起存储的数据类型，以及最佳存储方式。如本文件所定义，长期贮存是指对于计划长期贮存的产品，持续贮存时间超过12个月。本文件还给出了促进电子元器件长期贮存的基本原理、良好的工作实践和一般方法。 注：在GB/T 42706（所有部分)中，术语“元器件”与芯片、晶圆、无源器件以及封装器件具有互换性。

适用范围：本文件描述了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下利用大电流注入(BCI)法测量集成电路(IC)抗扰度的试验方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。这种方法仅用于有板外连线的IC，例如连接到电缆束。本试验方法把RF电流注入到一根或一组线缆。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：本文件描述了一种用于量化安装在标准试验板或其最终应用的印制电路板（PCB）上的集成电路（IC）对电磁传导骚扰的射频抗扰度测量方法。 本文件适用于在物理尺寸小的试验板上使用的能执行“独立”功能的IC。

适用范围：本文件描述了电子元器件长期贮存方法，以及相关的推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

适用范围：本文件规定了封装或涂覆元器件长期贮存方法和推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行封装或涂覆元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的协议层功能要求，对接总线协议的通用传输要求，并规定了对接AXI总线协议、对接HAI协议、对接自定义协议的传输要求及不同协议之间的配置。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的数据链路层技术要求，包括：传输报文格式、数据错误检测和纠错机制，以及链路状态和功耗管理相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的基于2D封装的物理层技术要求，包括初始化及训练流程、物理层电气规范、冗余机制、接口物理布局、低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了基于2.5D封装的物理层技术要求，包括初始化及训练流程、物理层电气特性、冗余机制、接口物理布局和低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件界定了芯粒互联接口的术语和定义、缩略语，规定了芯粒互联接口的分层架构以及各层的基本功能，并确立了互联场景和封装类型。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

适用范围：本文件规定了合成频率源的定义、技术要求和检验规则、标志，描述了测试方法。 本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器，其他类型的发射器和接收器可参考使用。

适用范围：本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。

适用范围：本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：范围:本文件规定了基于SiP（系统级封装）技术的微波射频模组的技术要求、试验方法和检验规则等。 本文件适用于基于SiP技术的微波射频模组的研发、生产和检验; 主要技术内容:本文件规定了基于SiP（系统级封装）技术的微波射频模组的技术要求、试验方法和检验规则等。本文件适用于基于SiP技术的微波射频模组的研发、生产和检验