GB/T 44807.2-2025 集成电路电磁兼容建模 第2部分：集成电路电磁干扰特性仿真模型 传导发射建模(ICEM-CE)

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

集成电路电磁兼容建模

第2部分集成电路电磁干扰特性仿真

:

模型传导发射建模ICEM-CE

()

EMCICmodellin—Part2ModelsofinteratedcircuitsforEMI

g:g

behaviouralsimulation—ConductedemissionsmodellinICEM-CE

g()

IEC62433-22017IDT

(:,)

2025-12-31发布2026-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

目次

前言

…………………………Ⅴ

引言

…………………………Ⅵ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义缩略语和约定

3、、………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………3

约定

3.3…………………3

基本原理

4…………………3

概述

4.1…………………3

核行为的传导发射数字发射源

4.2()…………………4

行为的传导发射

4.3I/O………………4

数据交换格式

4.4………………………4

基本组件

5ICEM-CE………………………4

概述

5.1…………………4

内部行为

5.2(IA)………………………4

无源分配网络

5.3(PDN)………………6

宏模型

6IC…………………7

宏模型的类型

6.1IC……………………7

通用宏模型

6.2IC………………………8

基于块的宏模型

6.3IC…………………8

基于子模型的宏模型

6.4IC…………12

格式

7CEML……………13

概述

7.1…………………13

结构

7.2CEML…………………………14

全局关键字

7.3…………………………15

部分

7.4Header………………………15

定义

7.5Lead…………………………16

宏模型

7.6SPICE………………………17

部分

7.7Validity………………………19

7.8PDN………………22

7.9IBC…………………30

Ⅰ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

7.10IA…………………31

参数提取要求

8……………37

概述

8.1…………………37

提取的环境限制

8.2……………………37

参数提取

8.3IA………………………37

参数提取

8.4PDN……………………37

参数提取

8.5IBC………………………37

附录规范性表示的基本定义

A()XML………………38

基础知识

A.1XML……………………38

关键字要求

A.2………………………39

附录规范性有效关键字和用法

B()CEML……………44

元素关键字

B.1Root…………………44

文件header关键字

B.2………………44

部分关键字

B.3Validity………………46

全局关键字

B.4…………………………47

关键字

B.5Lead………………………47

部分属性

B.6Lead_definitions………………………47

部分属性

B.7Macromodels……………48

部分关键字

B.8Pdn……………………49

部分关键字

B.9Ibc……………………52

部分关键字

B.10Ia……………………55

附录资料性格式的宏模型示例

C()CEMLICEM-CE………………60

概述

C.1…………………60

和子模型

C.2PDNIBC………………60

子模型

C.3IA…………………………61

中的频域

C.4CEMLICEM-CE………………………63

中的时域

C.5CEMLICEM-CE………………………65

附录资料性参数类型之间的转换

D()…………………68

概述

D.1…………………68

单端口网络参数的转换

D.2PDN……………………68

双端口网络参数的转换

D.3PDN……………………68

附录资料性模型参数生成

E()…………70

概述

E.1…………………70

默认结构和数值

E.2……………………70

由设计信息得到模型参数

E.3…………72

通过测量生成模型参数

E.4……………78

Ⅱ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

附录资料性去耦电容优化

F()…………91

附录资料性传导发射预测

G()…………93

附录资料性级的传导发射预测

H()PCB………………94

参考文献

……………………96

Ⅲ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁兼容建模的第部分已经发布了以下部分

GB/T44807《》2。GB/T44807:

第部分通用建模框架

———1:;

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模

———2:(ICEM-CE);

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模

———3:(ICEM-RE)。

本文件等同采用集成电路电磁兼容建模第部分集成电路电磁干扰特性仿

IEC62433-2:2017《2:

真模型传导发射建模

(ICEM-CE)》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京邮电大学中山大学北京智芯微电子科技有限

:、、、

公司厦门海诺达科学仪器有限公司天津先进技术研究院重庆邮电大学江苏省计量科学研究院

、、、、

江苏省能源计量数据中心中国合格评定国家认可中心深圳市海思半导体有限公司河北工业大学

()、、、、

豪威北方集成电路有限公司北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司江苏省电子信息产品质量监

、、

督检验研究院江苏省信息安全测评中心中国汽车工程研究院股份有限公司广东省大湾区集成电路

()、、

与系统应用研究院深圳市振华微电子有限公司

、。

本文件主要起草人崔强张金玲陈梅双刘挺陈晓鹏方文啸陈燕宁朱赛吴建飞付君周雷

:、、、、、、、、、、、

刘佳黄银涛高振斌王蒙军李齐康志能陈嘉声谭泽强王云贾山

、、、、、、、、、。

Ⅴ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

引言

为规范集成电路电磁兼容建模以及为集成电路制造商提供电磁兼容建模方法和要求

,,GB/T

集成电路电磁兼容建模规定了集成电磁兼容建模的通用框架方法和要求拟由个部分构成

44807《》、,6。

第部分通用建模框架目的在于规定集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法常用术语的

———1:。,

定义不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式

、。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模目的在于规定集成

———2:(ICEM-CE)。

电路传导发射建模方法和要求

。

第部分传导发射的黑匣子建模理论目的在于给出集成电路传导发射的黑匣子建模

———2-1:。

理论

。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模目的在于规定集成

———3:(ICEM-RE)。

电路辐射发射建模方法和要求

。

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模目的在于规定

———4:(ICIM-CI)。

集成电路传导抗扰度建模方法和要求

。

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度建模目的在于

———6:(ICIM-CPI)。

规定集成电路传导脉冲抗扰度建模方法和要求

。

Ⅵ

GB/T448072—2025/IEC62433-22017

.:

集成电路电磁兼容建模

第2部分集成电路电磁干扰特性仿真

:

模型传导发射建模ICEM-CE

()

1范围

本文件规定了集成电路的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射该模型通常称为集

(IC)。

成电路发射模型传导发射

-(ICEM-CE)。

宏模型能用于对晶片功能块和知识产权块进行建模

ICEM-CEIC、(IP)。

宏模型还能用于对数字和模拟进行建模

ICEM-CEICIC。

传导发射通常有两个来源

:

电源端子和地参考结构产生的传导发射

●;

输入输出端子产生的传导发射

●/(I/O)。

宏模型用一种方法解决了这两种类型的传导发射来源

ICEM-CE。

本文件定义了用于电磁干扰仿真的宏模型的结构和组件并考虑了的内部行为

(EMI),IC。

本文件包括两个主要部分

:

第一部分是宏模型元素的电气描述以及对相关信息的具体要求

●ICEM-CE;

第二部分提出了一种基于称为的通用数据交换格式这种格式以更实用和通用

●XMLCEML,

的形式对进行编码以仿真传导发射

ICEM-CE。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

无源滤波器件抑制特性的测量方法

GB/T7343—2017EMC(IEC/CISPR17:2011,IDT)

集成电路电磁兼容建模第部分通用建模框架

IECTS62433-1:20111:(EMCICmodelling—

Part1:Generalmodellingframework)

注集成电路电磁兼容建模第部分通用建模框架

:GB/T44807.1—20241:(IEC62433-1:2019,IDT)

3术语定义缩略语和约定

、、

31术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

。

311

..

外部端子externalterminal

宏模型的端子其将模型连接到的外部环境

IC,IC。

示例电源引脚和输入输出引脚

:/。

注在本文件中每个外部端子的名称以开头

:,“ET”。

1