GB/T 44807.4-2026 集成电路电磁兼容建模 第4部分：集成电路射频抗扰度特性仿真模型 传导抗扰度建模(ICIM-CI)

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

集成电路电磁兼容建模

第4部分集成电路射频抗扰度特性

:

仿真模型传导抗扰度建模ICIM-CI

()

EMCICModellin—Part4ModelsofinteratedcircuitsforRFimmunit

g:gy

behaviouralsimulation—ConductedimmunitmodellinICIM-CI

yg()

IEC62433-42016IDT

(:,)

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义缩略语和约定

3、、………………2

术语和定义

3.1…………………………2

缩略语

3.2………………3

约定

3.3…………………3

基本原理

4…………………3

模型描述

5ICIM-CI………………………4

通则

5.1…………………4

描述

5.2PDN……………5

描述

5.3IBC……………6

描述

5.4IB………………7

格式

6CIML………………7

概述

6.1…………………7

结构

6.2CIML…………………………8

全局关键字

6.3…………………………9

部分

6.4Header…………………………9

定义

6.5Lead…………………………10

宏模型

6.6SPICE………………………11

部分

6.7Validity………………………13

6.8PDN………………15

6.9IBC…………………28

6.10IB…………………30

提取

7………………………37

概述

7.1…………………37

环境提取限制

7.2………………………37

提取

7.3PDN…………………………38

提取

7.4IB……………38

7.5IBC…………………42

假设的确认

8ICIM-CI……………………42

概述

8.1…………………42

Ⅰ

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

线性

8.2…………………42

抗扰度判据与传输功率

8.3……………43

模型的使用

9………………44

附录规范性表示的基本定义

A()XML………………45

基础知识

A.1XML……………………45

关键字要求

A.2………………………46

附录资料性具有骚扰负载的示例

B()ICIM-CI………51

附录资料性参数类型转换

C()…………52

总则

C.1…………………52

单端输入或输出

C.2……………………52

差分输入或输出

C.3……………………53

附录资料性参数格式的宏模型示例

D()CIMLICIM-CI……………56

附录规范性的有效关键字及其使用规则

E()CIML…………………61

元素关键字

E.1Root…………………61

文件关键字

E.2header………………61

部分关键字

E.3Validity………………62

全局关键字

E.4…………………………63

关键字

E.5Lead………………………64

部分属性

E.6Lead_definitions………………………64

部分属性

E.7Macromodels……………64

部分关键字

E.8Pdn……………………65

部分关键字

E.9Ibc……………………68

部分关键字

E.10Ib……………………71

附录资料性使用矢量网络分析仪进行阻抗测量方法

F()PDN……78

总则

F.1…………………78

常规的单端口方法

F.2…………………78

用于低阻抗测量的双端口方法

F.3……………………78

用于高阻抗测量的双端口方法

F.4……………………79

附录资料性测量方法说明

G()RFIP…………………80

概述

G.1………………80

获取抗扰度参数

G.2…………………80

附录资料性基于通过失效试验的模型抗扰度仿真

H()/ICIM……82

电压调节器的宏模型

H.1ICICIM-CI………………82

应用级仿真和失效预测

H.2…………83

附录资料性基于非通过失效试验的模型抗扰度仿真

I()/ICIM……85

参考文献

……………………86

Ⅱ

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁兼容建模的第部分已经发布了以下部分

GB/T44807《》4。GB/T44807:

第部分通用建模框架

———1:;

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模

———2:(ICEM-CE);

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模

———3:(ICEM-RE);

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模

———4:(ICIM-CI);

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度建模

———6:(ICIM-CPI)。

本文件等同采用集成电路电磁兼容建模第部分集成电路射频抗扰度特性

IEC62433-4:2016《4:

仿真模型传导抗扰度建模

(ICIM-CI)》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

全文公式增加了编号

———。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院浙江诺益科技有限公司长沙容测电子股份有限公

:、、

司北京智芯微电子科技有限公司厦门海诺达科学仪器有限公司天津先进技术研究院北京国家新能

、、、、

源汽车技术创新中心有限公司工业和信息化部电子第五研究所北京邮电大学中山大学豪威北方集

、、、、

成电路有限公司北京航空航天大学中国汽车工程研究院股份有限公司成都锐成芯微科技股份有限

、、、

公司鲁东大学广州致远电子股份有限公司北京星河亿海科技有限公司南京师范大学上海机动车

、、、、、

检测认证技术研究中心有限公司南京信息工程大学厦门市产品质量监督检验院广电计量检测集团

、、、

上海技术有限公司安徽中认倍佳科技有限公司宁波三星医疗电气股份有限公司深圳青铜剑技术

()、、、

有限公司厦门信达物联科技有限公司深圳市飞腾云科技有限公司成都玖锦科技有限公司遵义师范

、、、、

学院高新兴物联科技股份有限公司南京中旭电子科技股份有限公司成都天波微电科技有限公司

、、、、

苏州洪芯集成电路有限公司合肥芯谷微电子股份有限公司

、。

本文件主要起草人崔强朱赛郑益民李齐吴建飞原义栋付君陈义强雷黎丽邵鄂陈政宇

:、、、、、、、、、、、

梁吉明王卫民王琪方文啸沈钦义要国强张红丽薛树成阎照文黄雪梅姜军王美山陈勇志

、、、、、、、、、、、、、

熊伟杰颜伟王晓迪万发雨程江河江峰李旸向建军戴银斌黄辉黄韡吴成林张跃欧阳艾嘉

、、、、、、、、、、、、、、

务东阳严雨宁邓力王生洪齐步坤

、、、、。

Ⅲ

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

引言

为规范集成电路电磁兼容建模以及为集成电路制造商提供电磁兼容建模方法和要求

,,

规定了集成电磁兼容建模的通用框架方法和要求拟由个部分构成

GB/T44807、,6。

第部分通用建模框架目的在于规定集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法常用术语的

———1:。,

定义不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式

、。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模目的在于规定集成

———2:(ICEM-CE)。

电路传导发射建模方法和要求

。

第部分传导发射的黑匣子建模理论目的在于给出集成电路传导发射的黑匣子建模

———2-1:。

理论

。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模目的在于规定集成

———3:(ICEM-RE)。

电路辐射发射建模方法和要求

。

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模目的在于规定

———4:(ICIM-CI)。

集成电路传导抗扰度建模方法和要求

。

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度目的在于规定

———6:(ICIM-CPI)。

集成电路传导脉冲抗扰度建模方法和要求

。

Ⅳ

GB/T448074—2026/IEC62433-42016

.:

集成电路电磁兼容建模

第4部分集成电路射频抗扰度特性

:

仿真模型传导抗扰度建模ICIM-CI

()

1范围

本文件规定了推导仿真集成电路传导抗扰度电平的宏模型的方法该模型通常称为集成电

(IC)。

路抗扰度模型传导抗扰度旨在用于预测对施加在引脚上的传导射频骚扰的抗扰

-(ICIM-CI),IC(RF)

度电平

。

为了评估电子设备的抗扰度阈值该宏模型需插入到电路仿真工具中

,。

该宏模型能用于对模拟和数字输入输出数字核和电源建模没有考虑的非线性影响

IC(/、),IC。

的其他价值是其还能通过仿真用于板级和系统级的抗扰度预测

ICIM-CI。

本文件主要包括两个部分

:

宏模型元素的电气描述

———ICIM-CI;

基于的称为的通用数据交换格式此格式以更实用和通用的形式对进

———XMLCIML。ICIM-CI

行编码以仿真抗扰度

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

信息处理文本和办公系统标准通用标记语言

ISO8879:1986(SGML)[Informationprocess-

ing—Textandofficesystems—StandardGeneralizedMarkupLanguage(SGML)]

注信息处理文本和办公系统标准通用置标语言

:GB/T14814—1993(SGML)(ISO8879:1986,NEQ)

信息技术信息交换用七位编码字符集

ISO/IEC646:1991ISO(Informationtechnology—

ISO7-bitcodedcharactersetforinformationinterchange)

注信息技术信息交换用七位编码字符集

:GB/T1988—1998(ISO/IEC646:1991,NEQ)

集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件与定义

IEC62132-11:(Integratedcircuits—

Measurementofelectromagneticimmunity—Part1:Generalanddefinitions)

注集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件和定义

:GB/T42968.1—20231:(IEC62132-1:2015,IDT)

集成电路电磁抗扰度测量第部分功率直接注入法

IEC62132-4(150kHz~1GHz)4:RF

(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity150kHzto1GHz—Part4:Direct

RFpowerinjectionmethod)

注集成电路电磁抗扰度测量第部分射频功率直接注入法

:GB/T42968.4—20244:(IEC62132-4:2006,

IDT)

集成电路电磁兼容建模第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建

IEC62433-22:

模

(ICEM-CE)[EMCICmodelling—Part2:ModelsofintegratedcircuitsforEMIbehaviouralsimula-

tion—Conductedemissionsmodelling(ICEM-CE)]

注集成电路电磁兼容建模第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模

:GB/T44807.2—20252:

1