GB/T 44807.6-2026 集成电路电磁兼容建模 第6部分：集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型 传导脉冲抗扰度建模(ICIM-CPI)

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

集成电路电磁兼容建模

第6部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真

:

模型传导脉冲抗扰度建模ICIM-CPI

()

EMCICmodellin—Part6Modelsofinteratedcircuitsforulseimmunit

g:gpy

behaviouralsimulation—ConductedulseimmunitmodellinICIM-CPI

pyg()

IEC62433-62020IDT

(:,)

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义缩略语和约定

3、、………………2

术语和定义

3.1…………………………2

缩略语

3.2………………4

约定

3.3…………………4

基本原理

4…………………4

模型结构

5ICIM-CPI………………………5

通则

5.1…………………5

5.2PPN…………………7

说明

5.3FB………………9

格式

6CPIML……………11

概述

6.1…………………11

结构

6.2CPIML………………………12

元素

6.3Global…………………………12

部分

6.4Header………………………13

部分

6.5Lead_definitions……………13

部分

6.6Macro-models………………14

部分

6.7Validity………………………14

6.8PDN………………14

6.9NLB………………14

6.10FB…………………18

附录资料性模型组件提取

A()…………27

概述

A.1………………27

描述

A.2PPN…………………………27

提取

A.3PDN…………………………27

提取

A.4NLB…………………………29

提取

A.5FB……………32

附录资料性电路仿真器中的实现技术

B()NLB……………………35

概述

B.1…………………35

基于RI表的建模

B.2/NLB…………35

基于开关的建模

B.3NLB……………35

基于物理器件模型的建模

B.4NLB…………………36

附录资料性模型示例

C()ICIM-CPI…………………37

Ⅰ

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

概述

C.1…………………37

功率开关模型示例

C.2ICIM-CPI……………………37

位微控制器模型的示例

C.332ICIM-CPI……………42

参考文献

……………………47

Ⅱ

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁兼容建模的第部分已经发布了以下部分

GB/T44807《》6。GB/T44807:

第部分通用建模框架

———1:;

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模

———2:(ICEM-CE);

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模

———3:(ICEM-RE);

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模

———4:(ICIM-CI);

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度建模

———6:(ICIM-CPI)。

本文件等同采用集成电路电磁兼容建模第部分集成电路脉冲抗扰度特性

IEC62433-6:2020《6:

仿真模型传导脉冲抗扰度建模

(ICIM-CPI)》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

附录中Z和Z是一致的统一将Z修改为Z

———APinDUT,DUTPin。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位北京智芯微电子科技有限公司中国电子技术标准化研究院天津先进技术研究

:、、

院深圳宇凡微电子有限公司北京航空航天大学中国汽车工程研究院股份有限公司工业和信息化部

、、、、

电子第五研究所北京邮电大学深圳通锐微电子技术有限公司一汽南方深圳科技开发有限公司

、、、()、

国网山东省电力公司国网山东省电力公司青岛供电公司广州致远电子股份有限公司中山大学恩智

、、、、

浦强芯天津集成电路设计有限公司苏州华芯微电子股份有限公司深圳青铜剑技术有限公司博硕

()、、、

科技江西有限公司浙江创豪半导体有限公司宁波三星医疗电气股份有限公司杭州艾诺半导体有

()、、、

限公司重庆邮电大学江苏省电子信息产品质量监督检验研究院江苏省信息安全测评中心中国信

、、()、

息通信研究院合肥芯谷微电子股份有限公司江苏芯潭微电子有限公司武汉环达电子科技有限公司

、、、。

本文件主要起草人李纪平付君崔强原义栋李德建苗清沈钦义吴建飞陈勇志廖锡略

:、、、、、、、、、、

阎照文王卫民张恒杨小娟吴观斌魏振王琪陈义强黄雪梅方文啸邵伟恒白晶徐君怡

、、、、、、、、、、、、、

傅俊寅彭建文卢海林赵雨婷黎坚刘挺陈嘉声臧琦宋剑威赵一飞潘舟

、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

引言

为规范集成电路电磁兼容建模以及为集成电路制造商提供电磁兼容建模方法和要求

,,

规定了集成电磁兼容建模的通用框架方法和要求拟由个部分构成

GB/T44807、,6。

第部分通用建模框架目的在于规定集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法常用术语的

———1:。,

定义不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式

、。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型传导发射建模目的在于规定集成

———2:(ICEM-CE)。

电路传导发射建模方法和要求

。

第部分传导发射的黑匣子建模理论目的在于给出集成电路传导发射的黑匣子建模

———2-1:。

理论

。

第部分集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模目的在于规定集成

———3:(ICEM-RE)。

电路辐射发射建模方法和要求

。

第部分集成电路射频抗扰度特性仿真模型传导抗扰度建模目的在于规定

———4:(ICIM-CI)。

集成电路传导抗扰度建模方法和要求

。

第部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型传导脉冲抗扰度建模目的在于

———6:(ICIM-CPI)。

规定集成电路传导脉冲抗扰度建模方法和要求

。

Ⅳ

GB/T448076—2026/IEC62433-62020

.:

集成电路电磁兼容建模

第6部分集成电路脉冲抗扰度特性仿真

:

模型传导脉冲抗扰度建模ICIM-CPI

()

1范围

本文件描述了集成电路抗静电放电以及电快速瞬变脉冲群

(IC)(ESD,IEC61000-4-2)(EFT,

的宏模型的提取流程

IEC61000-4-4)。

过压热损伤和其他失效模式会造成物理损伤以及功能性故障该模型提供了建模解决方案

、,。

该模型允许在应用中对进行抗扰度仿真该模型通常称为集成电路抗扰度模型传导脉冲抗扰

IC。-

度

(ICIM-CPI)。

宏模型适用于对数字模拟以及混合信号进行建模的几个端子如输入

ICIM-CPIIC、ICIC。IC(、

输出和电源引脚可能是单一模型的一部分宏模型能用于表征过电压保护电路的非线性

)。ICIM-CPI

行为

。

宏模型能在不同的软件工具中实现时域电路仿真其建模方法允许在组件级或系统级仿

ICIM-CPI,

真由于或导致的器件失效该方法涵盖了集成电路抗扰度仿真必要的所有组件如或

ESDEFT。,PCB

外部保护元件

。

本文件详细描述了基于一种特定格式构建模型的情况该格式适用于模型的数据交互而不

XML,,

需要任何更深的半导体电路知识然而模型的功能可能用不同的格式实现包括但不限于表格

。,,、

网表硬件描述语言如和

SPICE、VHDL-AMSVerilog-AMS。

本文件主要包括两个部分

:

代表电热或者逻辑行为的宏模型元素的描述

———IC、ICIM-CPI;

一种基于的通用数据交换格式

———XML。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改版适用于

,;,()

本文件

。

电磁兼容第部分试验和测量技术静电放电抗扰度试验

IEC61000-4-2(EMC)4-2:[Electro-

magneticcompatibility(EMC)—Part4-2:Testingandmeasurementtechniques—Electrostaticdis-

chargeimmunitytest]

注电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验

:GB/T17626.2—2018(IEC61000-4-2:2008,IDT)

电磁兼容第部分试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

IEC61000-4-4(EMC)4-4:

[Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-4:Testingandmeasurementtechniques—Electrical

fasttransient/burstimmunitytest]

注电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲器抗扰度试验

:GB/T17626.4—2018(IEC61000-4-4:2012,IDT)

集成电路脉冲抗扰度测量第部分非同步瞬态注入法

IEC62215-33:(Integratedcircuits—

Measurementofimpulseimmunity—Part3:Non-synchronoustransientinjectionmethod)

注集成电路脉冲抗扰度测量第部分非同步瞬态注入法

:GB/T43034.3—20233:(IEC62215-3:2013,IDT)

1