GB/T 47239.9-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法

ICS3108099

CCSL.55.

中华人民共和国国家标准

GB/T472399—2026

.

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第9部分一晶体管一电阻式1T1R

:()

电阻存储单元性能测试方法

Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—

Part9Performancetestinmethodsofonetransistorandoneresistor

:g

1T1Rresistivememorcells

()y

IEC62951-92022MOD

(:,)

2026-02-27发布2026-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T472399—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

被测器件

4(DUT)…………………………3

测试方法

5…………………4

通则

5.1…………………4

测试设备和工具

5.2……………………4

读操作

5.3………………4

电预处理测试

5.4………………………5

置位过程测试

5.5………………………6

复位过程测试

5.6………………………7

耐久性测试

5.7…………………………9

保持性测试

5.8…………………………11

测试报告

5.9……………12

参考文献

……………………13

Ⅰ

GB/T472399—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发

GB/T47239《》9。GB/T47239

布了以下部分

:

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

———8:、;

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法

———9:(1T1R)。

本文件修改采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分一晶体管一

IEC62951-9:2022《9:

电阻式电阻存储单元性能测试方法

(1T1R)》。

本文件与相比做了下述结构调整

IEC62951-9:2022:

增加其后条编号依次顺延

———3.5,;

依次对应中的对应中的

———5.2~5.8IEC62951-9:20225.2.1~5.2.7,5.9IEC62951-9:20225.3。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC62951-9:2022:

删除了单极型的限制见第章本文件描述的方法同时适用于单极型和双极型的电

———(1),1T1R

阻存储单元

;

增加术语和定义顶部电极电压见满足使用需要

———“”(3.5),;

更改了低阻态阻值和高阻态阻值的定义见以符合行业认知

———“”“”(3.8、3.9),;

将高温测试条件三种高于的不同环境温度更改为三种高于的不同环境温

———“175℃”,“150℃

度见以符合行业习惯

”(5.8),。

本文件做了下列编辑性改动

:

更正了中图中图以及中图的描述以符合图中内容

———5.12、5.345.815,;

删除了中图脚注a中与图无关的内容

———5.46;

图中增加了对高阻态阻值和低阻态阻值的标注和区分

———4,;

更正了中建议的最小耐久性循环次数为6次

———5.710;

图和图中的标引符号更正为R和R与第章给出的符号保持一致

———1113“LRSHRS”,3;

图中将x6更正为n6

———12“>10”“>10”;

图中增加注对图中符号进行解释说明

———9,。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位上海复旦微电子集团股份有限公司之江实验室复旦大学中国电子科技集团公

:、、、

司第十三研究所

。

本文件主要起草人沈磊孙建军俞剑刘山佳时拓周睿晰刘津畅王明崔波陈海蓉张丽静

:、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T472399—2026

.

引言

柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可

、、、、,、

穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件

、。

的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸

,。GB/T47239《

半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性

》,

能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成

、。9。

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯

———1:。

曲试验方法

。

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下

———2:、。

柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法

、。

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定评价柔性基板在凸起

———3:。

状态下薄膜晶体管特性的方法

。

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基

———4:。

板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法

。

第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法

———5:。。

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是规定柔性导电薄膜的薄层电阻测试

———6:。

方法

。

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄

———7:。

膜阻挡特性的测试方法

。

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的

———8:、。

术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程

,、。

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电

———9:(1T1R)。

阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励

(1T1R),,

和测试流程

。

所有部分均为一一对应采用所有部分通过统一柔性可拉伸半导体器

GB/T47239()IEC62951(),

件的测试和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展

,。

Ⅳ

GB/T472399—2026

.

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第9部分一晶体管一电阻式1T1R

:()

电阻存储单元性能测试方法

1范围

本文件描述了一晶体管一电阻式电阻存储单元的性能测试方法本文件中的性能测试方

(1T1R)。

法所测试的性能包括读电预处理置位复位耐久性和保持性

、、、、。

本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件且不受器件的工艺和尺寸限制

,。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

编程晶体管programmingtransistor

用于放大限制或改变电信号和电功率的半导体器件

、。

32

.

源极电压sourcevoltage

V

S

施加在编程晶体管源极的偏压

。

33

.

栅极电压gatevoltage

V

G

施加在编程晶体管栅极的偏压

。

34

.

漏极电压drainvoltage

V

D

施加在编程晶体管漏极的偏压

。

35

.

顶部电极电压topelectrodeoftheresistivememoryvoltage

V

R

施加在电阻存储器顶部电极的偏压

。

36

.

电阻存储器resistivememory

基于有源层内导电细丝的可逆形成与可逆断裂分别定义其低阻态与高阻态的双端器件

,。

1