GB/T 47239.8-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法

ICS3108099

CCSL.55.

中华人民共和国国家标准

GB/T472398—2026/IEC62951-82023

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第8部分柔性电阻存储器延展性

:、

柔韧性和稳定性测试方法

Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—

Part8Testmethodforstretchabilitflexibilitand

:y,y

stabilityofflexibleresistivememory

IEC62951-82023IDT

(:,)

2026-02-27发布2026-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T472398—2026/IEC62951-82023

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测试方法

4…………………2

概述

4.1…………………2

测试设备和工具

4.2……………………2

测试流程

4.3……………4

测试报告

4.4……………6

附录资料性由于弯曲和拉伸引发的基板应变

A()………7

弯曲应变公式的详细推导

A.1…………7

拉伸引发应变的仿真结果

A.2…………8

参考文献

………………………9

Ⅰ

GB/T472398—2026/IEC62951-82023

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发

GB/T47239《》8。GB/T47239

布了以下部分

:

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

———8:、;

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法

———9:(1T1R)。

本文件等同采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分柔性电阻存

IEC62951-8:2023《8:

储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

、》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

图中增加注对图中内容进行解释说明

———1,;

更正了中公式以符合行业习惯且同附录中弯曲应变的计算方式保持一致

———4.3.1(1),A;

删除了中公式下方对W和W的描述因公式中未出现符号W和W

———4.3.1(1)0m,(1)0m;

增加了中公式公式的式中符号RRt的说明

———4.3.2(2)、(3)t、c、;

增加了中图中的符号R的说明

———4.3.23;

增加了附录中图的标引符号说明和下方公式的式中符号说明

———AA.1。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位上海复旦微电子集团股份有限公司复旦大学之江实验室中国电子科技集团公

:、、、

司第十三研究所

。

本文件主要起草人沈磊孙建军俞剑刘山佳王明时拓崔波陈海蓉张丽静

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T472398—2026/IEC62951-82023

.:

引言

柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可

、、、、,、

穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件

、。

的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸

,。GB/T47239《

半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性

》,

能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成

、。9。

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯

———1:。

曲试验方法

。

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下

———2:、。

柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法

、。

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定评价柔性基板在凸起

———3:。

状态下薄膜晶体管特性的方法

。

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基

———4:。

板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法

。

第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法

———5:。。

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是规定柔性导电薄膜的薄层电阻测试

———6:。

方法

。

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄

———7:。

膜阻挡特性的测试方法

。

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的

———8:、。

术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程

,、。

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电

———9:(1T1R)。

阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励

(1T1R),,

和测试流程

。

所有部分均为一一对应采用所有部分通过统一柔性可拉伸半导体器

GB/T47239()IEC62951(),

件的测试和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展

,。

Ⅳ

GB/T472398—2026/IEC62951-82023

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第8部分柔性电阻存储器延展性

:、

柔韧性和稳定性测试方法

1范围

本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性的术语和测试方法包括试验流程

、,

和所用设备本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求本文件中描述的测试方法侧

。。

重于评价稳定性而不是可靠性

,。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

柔性电阻存储器flexibleresistivememory

通过改变介电材料的电阻来实现存储功能的柔性器件

。

32

.

弯曲半径bendingradius

按内部曲率测量的管道管材板材电缆或软管等材料可弯曲的最小半径

、、、。

33

.

低阻态resistanceoflowresistancestateLRS

;

通过施加较高电压单极性转变或正向偏压双极性转变所引发的一种稳定电阻状态

()()。

34

.

高阻态resistanceofhighresistancestateHRS

;

通过施加较低电压单极性转变或反向偏压双极性转变所引发的一种稳定电阻状态

()()。

35

.

置位电压setvoltage

V

set

用于转换至低阻态的电压

。

36

.

复位电压resetvoltage

V

reset

用于转换至高阻态的电压

。

1