• GB/T 43034.2-2024 集成电路 脉冲抗扰度测量 第2部分:同步瞬态注入法 现行
    译:GB/T 43034.2-2024 Integrated circuits—Measurement of impulse immunity—Part 2:Synchronous transient injection method
    适用范围:本文件给出了评价集成电路(IC)对快速传导同步瞬态骚扰抗扰度试验方法的通用信息和定义。这些信息包括试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告的内容要求。 本文件的目的是描述通过建立相同的试验环境获得IC抗扰度的定量度量的通用条件,同时也描述了预期会影响试验结果的关键参数。与本文件的偏离需在试验报告中明确地注明。 本文件给出的同步瞬态抗扰度测量方法是使用具有不同幅值、持续时间和极性的,上升时间快速的短脉冲以传导的方式耦合给IC。在本方法中,施加的脉冲需与IC的功能运行同步,目的是确保可控的和可复现的条件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-10-26 | 实施时间: 2024-10-26
  • GB/T 44798-2024 复杂集成电路设计保证指南 现行
    译:GB/T 44798-2024 Design assurance guidelines for complex integrated circuits
    适用范围:本文件提供了复杂集成电路的设计流程和各阶段设计质量保证工作内容。 本文件适用于指导复杂集成电路设计流程建立和质量保证。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-10-26 | 实施时间: 2024-10-26
  • GB/T 44796-2024 集成电路三维封装 带凸点圆片划片工艺过程和评价要求 现行
    译:GB/T 44796-2024 Integrated circuit 3D packaging—Requirement for bumping-wafer-sawing process and evaluation
    适用范围:本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺(以下简称划片工艺)的一般要求、详细要求和评价要求。 注: 1 in=2.54 cm。 本文件适用于12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-10-26 | 实施时间: 2025-05-01
  • GB/T 44801-2024 系统级封装(SiP)术语 现行
    译:GB/T 44801-2024 Terminology of system in package(SiP)
    适用范围:本文件界定了系统级封装(SiP)在生产制造、工程应用和产品试验等方面与材料、工艺、组装、封装相关的通用术语和专用术语。 本文件适用于与系统级封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-10-26 | 实施时间: 2024-10-26
  • GB/T 44517-2024 微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 现行
    译:GB/T 44517-2024 Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films
    适用范围:本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm~10 μm的MEMS膜残余应力的方法,包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2025-04-01
  • GB/T 44514-2024 微机电系统(MEMS)技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法 现行
    译:GB/T 44514-2024 Micro-electromechanical system(MEMS) technology—Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials
    适用范围:本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法,利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩,以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底(通常是硅晶片)厚度的1/100。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2024-09-29
  • GB/T 44531-2024 微机电系统(MEMS)技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范 现行
    译:GB/T 44531-2024 Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Technical specification of automotive grade pressure sensor based on MEMS technology
    适用范围:本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器,其他压力传感器参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2024-09-29
  • GB/T 44515-2024 微机电系统(MEMS)技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 现行
    译:GB/T 44515-2024 Micro-electromechanical system(MEMS) technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film
    适用范围:本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。 本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2025-01-01
  • GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 现行
    译:GB/T 44513-2024 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Environmental test methods of MEMS piezoelectric thin films for sensor application
    适用范围:本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下,评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法,以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。 本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量,也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能,例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。 本文件不包括可靠性评估,如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2025-01-01
  • GB/T 44635-2024 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 现行
    译:GB/T 44635-2024 Electrostatic discharge sensitivity testing—Transmission line pulse(TLP)—Component level
    适用范围:本文件定义了一种传输线脉冲(TLP)试验方法,用于评估被测半导体器件的电压电流响应,并考量静电放电(ESD)人体模型(HBM)防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准(例如IEC 6074926)的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南,以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2024-09-29
  • GB/T 44529-2024 微机电系统(MEMS)技术 射频MEMS环行器和隔离器 现行
    译:GB/T 44529-2024 Micro-electromechanical system(MEMS)technology—Radio frequency MEMS circulators and isolators
    适用范围:本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-09-29 | 实施时间: 2024-09-29
  • T/WXIOT 003-2024 应用于电动汽车驱动电机控制的高性能DSP芯片技术要求 现行
    译:T/WXIOT 003-2024 The technical requirements for high-performance DSP chips used in the control of electric vehicle drive motors, translated into English: Advanced DSP chips for electric vehicle drive motor control
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-07-25 | 实施时间: 2025-07-25
  • T/JSJTQX 59-2024 港口企业安全生产目视化管理技术规范 现行
    译:T/JSJTQX 59-2024 Port enterprise safety production visual management technical specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-07-25 | 实施时间: 2024-07-25
  • GB/T 43931-2024 宇航用微波集成电路芯片通用规范 现行
    译:GB/T 43931-2024 General specification for microwave integrated circuit chip for aerospace
    适用范围:本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求、质量保证规定和交货准备。本文件适用于宇航用微波集成电路芯片(以下简称“芯片”)的设计、生产和产品质量保证。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-06-29 | 实施时间: 2024-10-01
  • T/JSSIA 0001-2024 光敏介质薄膜与互连金属界面结合力的评价方法 现行
    译:T/JSSIA 0001-2024 Evaluation method for interface bonding force between photoconductive medium thin film and interconnect metal interface
    适用范围:范围:适用于晶圆/板级扇出型封装、晶圆级封装中光敏介质薄膜与互连金属界面结合力及光敏薄膜与薄膜材料界面的评价; 主要技术内容:本文件规定了晶圆/板级扇出型封装、晶圆级封装中光敏介质薄膜与互连金属界面结合力的试验方法,包括试验样件、试验设备、界面测试方法、测试结果分析方法、典型失效模式等
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-06-05 | 实施时间: 2024-06-10
  • GB/T 43939-2024 宇航用石英挠性加速度计伺服电路通用测试方法 现行
    译:GB/T 43939-2024 General test methods for servo circuits of quartz flexible accelerometers for space applications
    适用范围:本文件描述了石英挠性加速度计伺服电路(以下简称“电路”)参数测试方法。本文件适用于石英挠性加速度计伺服电路参数的测试,其他加速度计伺服电路参照使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :49.035航空航天制造用零部件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-04-25 | 实施时间: 2024-08-01
  • GB/T 43940-2024 4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线测试方法 现行
    译:GB/T 43940-2024 4 Mb/s digital time division command/response multiplex-data bus test plan
    适用范围:本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-04-25 | 实施时间: 2024-08-01
  • T/CAMS 186-2024 二维材料光电探测器性能参数测试方法 现行
    译:T/CAMS 186-2024 Performance parameter testing method for two-dimensional material photodetectors
    适用范围:范围:本文件适用于二维材料光电探测器(以下简称“光电探测器”)的性能测试,也可为其它探测器的性能测试提供参考; 主要技术内容:本文件规定了二维材料光电探测器性能参数测试总则及测试方法
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-03-07 | 实施时间: 2024-04-01
  • T/CIE 199-2023 柔性半导体集成电路弯曲试验方法 现行
    译:T/CIE 199-2023 Bending test methods of flexible semiconductor integrated circuit
    适用范围:本文件规定了柔性半导体集成电路弯曲试验方法的一般要求和试验项目。 本文件适用于柔性半导体集成电路在筛选或质量鉴定试验时所需开展的弯曲试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2023-12-29 | 实施时间: 2023-12-29
  • T/CIE 198-2023 柔性半导体集成电路可靠性试验规范 现行
    译:T/CIE 198-2023 Specification for reliability test of flexible semiconductor integrated circuit
    适用范围:本文件规定了柔性半导体集成电路可靠性试验的一般要求、检验批、质量评定、抽样要求、鉴定试验、质量一致性试验、筛选试验相关内容。 本文件适用于柔性半导体集成电路可靠性的评价、认证与考核。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2023-12-29 | 实施时间: 2023-12-29