T/CIE 199-2023 柔性半导体集成电路弯曲试验方法

ICS31200

CCSL.56

团体标准

T/CIE199—2023

柔性半导体集成电路弯曲试验方法

Bendingtestmethodsofflexiblesemiconductorintegratedcircuit

2023-12-29发布2023-12-29实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

本标准版权归中国电子学会所有除了用于国家法律或事先

。

得到发布单位文字上的许可外不许以任何形式对本标准包括电

,(

子版影印件进行复制改编翻译汇编或将本标准用于其他任

、)、、、

何商业目的

。

T/CIE199—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般要求

4…………………1

试验项目

4.1……………1

试验条件

4.2……………1

器件取向和施力方向

4.3………………2

试验样品准备

4.4………………………2

试验报告

4.5……………2

注意事项

4.6……………3

试验项目

5…………………3

静态弯曲

5.1……………3

动态弯曲

5.2……………4

Ⅰ

T/CIE199—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件由中国电子学会提出并归口

。

本文件起草单位清华大学浙江清华柔性电子技术研究院浙江荷清柔性电子技术有限公司杭州

:、、、

柔谷科技有限公司浙江智柔科技有限公司浙江清华长三角研究院中国电科芯片技术研究院工业和

、、、、

信息化部电子第五研究所钱塘科技创新中心中国计量大学电子科技大学

、、、。

本文件主要起草人冯雪陈颖汪照贤宋欣吴桐昊王显屈哲闫宇李海波范惠东黄晓宗

:、、、、、、、、、、、

杨超廖希异杨晓峰何志峰赵建明徐文龙牟映璇

、、、、、、。

Ⅲ

T/CIE199—2023

柔性半导体集成电路弯曲试验方法

1范围

本文件规定了柔性半导体集成电路弯曲试验方法的一般要求和试验项目

。

本文件适用于柔性半导体集成电路在筛选或质量鉴定试验时所需开展的弯曲试验

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

所有部分半导体器件机械和气候试验方法

GB/T4937()

半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混合电路

GB/T1275011:()

柔性半导体集成电路可靠性试验规范

T/CIE198

3术语和定义

所有部分和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T4937()GB/T12750。

31

.

柔性芯片flexiblechip

无机半导体材料制造的未封装芯片其厚度一般不大于

,50μm。

32

.

柔性半导体集成电路flexiblesemiconductorintegratedcircuit

由柔性芯片经过柔性封装得到的应对外部机械应力具有机械柔韧性的集成电路

。

4一般要求

41试验项目

.

柔性半导体集成电路在筛选或质量鉴定试验时所需开展的弯曲试验项目包括

:

静态弯曲

a);

动态弯曲

b)。

42试验条件

.

421试验环境

..

4211弯曲试验环境要求应符合

...:

电测试环境温度其他试验环境温度

a)25℃±2℃,25℃±10℃;

环境气压

b)86kPa~106kPa;

环境湿度

c)20%~80%。

注若环境湿度不影响试验结果可不考虑

:,。

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