GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法
GB/T 4937.11-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 11:Rapid change of temperature—Two-fluid-bath method
基本信息
发布历史
-
2018年09月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 起草人：
- 张天福、高金环、彭浩、李树杰、于学东、崔波、裴选、迟雷、张艳杰
- 出版信息：
- 页数：6页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.080.01
L40
道18
圭K
中华人民和国国家标准
J，、、
GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002
半导体器件机械和气候试验方法
第11部分：快速温度变化双液槽法
Semiconductordevic臼－Mechanicalandclimatict臼tmethods-
Part11:Rapidchangeoftemperature-Two-fluid-bathmethod
OEC60749-11:2002,IDT)
2018-09-17发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002
前
GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成：
一一第1部分g总则z
一一第2部分z低气压；
一一第3部分：外部目检s
一一第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST),
一一第5部分2稳态温湿度偏置寿命试验；
一一第6部分2高温贮存z
一一第7部分z内部水汽含量测试和其他残余气体分析s
一一第8部分：密封z
一一第9部分2标志耐久性s
一一第10部分：机械冲击z
一一第11部分：快速温度变化双液槽法z
－一第12部分：扫频振动s
一一第13部分：盐凯
一一第14部分：引出端强度〈引线牢固性〉；
一一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热；
一一第16部分：粒子碰撞噪声栓测（PINO);
一一第17部分：中子辐照；
一一第18部分：电离辐射（总剂量h
一一第19部分：芯片剪切强度；
一一第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响s
一一第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输z
一一第21部分：可焊性F
一一第22部分：键合强度；
一一第23部分z高温工作寿命z
一一第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验（HSAT);
一一第25部分：温度循环F
一一第26部分z静电放电（ESD）敏感度试验人体模型（HBM),
一一第27部分：静电放电（ESD）敏感度试验机械模型（MM)1
一一第28部分g静电放电（ESD）敏感度试验带电器件模型（COM)器件级；
一一第29部分：问锁试验s
一一第30部分：非密封表面安装器件在可雄性试验前的预处理；
一一第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）；
一一第32部分：塑封器件的易燃性〈外部引起的〉；
一一第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮s
一一第34部分g功率循环E
一一第35部分t塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查5
一一第36部分g恒定加速度z
I
GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002
一一第37部分z采用加速度计的板级跌落试验方法p
一一第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法；
一一第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；
一一第40部分2采用张力仪的；桓级跌落试验方法z
一一第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法；
一一第42部分z温度和湿度贮存；
一一第43部分2集成电路(IC）可靠性鉴定方案指南z
定制服务
推荐标准
- GB/Z 18729-2002 基于网络的企业信息集成规范 2002-05-20
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