GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法

ICS31.080.01

L40

道18

圭K

中华人民和国国家标准

J，、、

GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002

半导体器件机械和气候试验方法

第11部分：快速温度变化双液槽法

Semiconductordevic臼－Mechanicalandclimatict臼tmethods-

Part11:Rapidchangeoftemperature-Two-fluid-bathmethod

OEC60749-11:2002,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002

前

GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成：

一一第1部分g总则z

一一第2部分z低气压；

一一第3部分：外部目检s

一一第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST),

一一第5部分2稳态温湿度偏置寿命试验；

一一第6部分2高温贮存z

一一第7部分z内部水汽含量测试和其他残余气体分析s

一一第8部分：密封z

一一第9部分2标志耐久性s

一一第10部分：机械冲击z

一一第11部分：快速温度变化双液槽法z

－一第12部分：扫频振动s

一一第13部分：盐凯

一一第14部分：引出端强度〈引线牢固性〉；

一一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热；

一一第16部分：粒子碰撞噪声栓测（PINO);

一一第17部分：中子辐照；

一一第18部分：电离辐射（总剂量h

一一第19部分：芯片剪切强度；

一一第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响s

一一第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输z

一一第21部分：可焊性F

一一第22部分：键合强度；

一一第23部分z高温工作寿命z

一一第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验（HSAT);

一一第25部分：温度循环F

一一第26部分z静电放电（ESD）敏感度试验人体模型（HBM),

一一第27部分：静电放电（ESD）敏感度试验机械模型（MM)1

一一第28部分g静电放电（ESD）敏感度试验带电器件模型（COM)器件级；

一一第29部分：问锁试验s

一一第30部分：非密封表面安装器件在可雄性试验前的预处理；

一一第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）；

一一第32部分：塑封器件的易燃性〈外部引起的〉；

一一第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮s

一一第34部分g功率循环E

一一第35部分t塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查5

一一第36部分g恒定加速度z

I

GB/T4937.11-2018/IEC60749-11:2002

一一第37部分z采用加速度计的板级跌落试验方法p

一一第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法；

一一第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；

一一第40部分2采用张力仪的；桓级跌落试验方法z

一一第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法；

一一第42部分z温度和湿度贮存；

一一第43部分2集成电路(IC）可靠性鉴定方案指南z