GB/T 4937.19-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度

I臼31.080.01

L40

道昌

中华人民共和国国家标准

GB/T4937.19-2018/IEC60749-19:2010

半导体器件机械和气候试验方法

第19部分：芯片剪切强度

Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods一

Part19:Dieshearstrength

(IEC60749-19:2010,IDT)

2019-01-01实施

2018-09-17发布

国家市场监督管理总局也士

中国国家标准化管理委员会~"llJ

GB/T4937.19-2018/IEC60749-19:2010

前

GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成t

一一第1部分g总则z

一一第2部分：低气压；

一一第3部分＝外部目：栓；

一一第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST);

一一第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验s

一一第6部分z高温贮存；

一一第7部分z内部水汽含量测试和其他残余气体分析；

一一第8部分2密封E

一一第9部分＝标志耐久性s

一一第10部分g机械冲击；

一一第11部分z快速温度变化双液槽法：

一一第12部分：扫频振动z

一一第13部分g盐雾；

一一第14部分：引出端强度（引线牢固性）I

一一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热；

一一第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND),

一一第17部分t中子辐照；

一一第18部分g电离辐射〈总剂量h

一一第19部分：芯片剪切强度；

一一第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响；

一一第20-1部分g对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输z

一一第21部分z可焊性；

一一第22部分：键合强度；

一一第23部分z高温工作寿命；

一一第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验（HSAT);

一一第25部分z温度循环；

一一第26部分：静电放电（ESD）敏感度试验人体模型（HBM)1

一一第27部分z静电放电（ESD）敏感度试验机械模型（MM);

一一第28部分：静电放电＜ESD)敏感度试验带电器件模型＜CDM)器件级；

一一第29部分：同锁试验；

一一第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理z

一一－第31部分：塑封器件的易燃性〈内部引起的h

一一第32部分：塑封器件的易燃性〈外部引起的）;

一一第33部分g加速耐湿无偏置高压蒸煮z

一一第34部分：功率循环s

一一第35部分g塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；

一一第36部分z恒定加速度；