GB/T 42968.4-2024 集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T429684—2024/IEC62132-42006

.:

集成电路电磁抗扰度测量

第4部分射频功率直接注入法

:

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—

Part4DirectRFowerinectionmethod

:pj

IEC62132-42006Interatedcircuits—Measurementofelectromanetic

(:,gg

immunit150kHzto1GHz—Part4DirectRFowerinectionmethodIDT

y:pj,)

2024-12-31发布2024-12-31实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T429684—2024/IEC62132-42006

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

通则

4………………………1

测量原理

4.1……………1

单引脚功率直接注入法

4.2……………3

多引脚功率直接注入法

4.3……………3

试验条件

5…………………4

试验设备

6…………………4

通则

6.1…………………4

功率源

6.2RF……………4

功率计和定向耦合器

6.3RF……………4

试验布置

7…………………5

概述

7.1…………………5

功率注入布置

7.2………………………5

试验电路板

7.3…………………………5

功率注入布置的特性

7.4………………6

去耦网络

7.5……………7

试验程序

8…………………7

通则

8.1…………………7

具体试验程序

8.2………………………7

试验报告

9…………………8

附录资料性汽车应用中抗扰度电平的示例

A()………9

附录资料性最佳试验布置的安装提示

B()RF………10

附录资料性恒定峰值试验电平的说明

C()……………16

参考文献

……………………17

Ⅰ

GB/T429684—2024/IEC62132-42006

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T429684。GB/T42968:

第部分通用条件和定义

———1:;

第部分辐射抗扰度测量小室和宽带小室法

———2:TEMTEM;

第部分射频功率直接注入法

———4:;

第部分辐射抗扰度测量带状线法

———8:IC。

本文件等同采用集成电路电磁抗扰度测量第部分射

IEC62132-4:2006《150kHz~1GHz4:

频功率直接注入法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为集成电路电磁抗扰度测量第部分射频功率直接

———,《4:

注入法

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院南京容测检测技术有限公司深圳市北测标准技术

:、、

服务有限公司北京智芯微电子科技有限公司工业和信息化部电子第五研究所天津先进技术研究院

、、、、

江苏省质量和标准化研究院上海市计量测试技术研究院苏州菲利波电磁技术有限公司安徽省计量

、、、

科学研究院中国信息通信研究院深圳市铨兴科技有限公司重庆邮电大学重庆仕益产品质量检测有

、、、、

限责任公司东莞职业技术学院上海精密计量测试研究所

、、。

本文件主要起草人张强崔强沈学其乔彦彬方文啸吴建飞刘小军王少启付君杨博

:、、、、、、、、、、

李金龙崔培宾廉鹏飞史锁兰黄旭彪张红升刘洋鲍晶晶

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T429684—2024/IEC62132-42006

.:

引言

为规范集成电路电磁抗扰度测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁抗扰度测量

,

方法规定了集成电路电磁抗扰度测量的通用条件定义和不同测量方法的试验程序和试

,GB/T42968、

验要求拟由个部分构成

,7。

第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁抗扰度测量的通用条件和定义

———1:。。

第部分辐射抗扰度测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽

———2:TEMTEM。TEM

带小室法的试验程序和试验要求

TEM。

第部分大电流注入法目的在于规定大电流注入法的试验程序和试验要求

———3:(BCI)。。

第部分射频功率直接注入法目的在于规定射频功率直接注入法的试验程序和试验要求

———4:。。

第部分工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序和试验要求

———5:。。

第部分辐射抗扰度测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求

———8:IC。。

第部分辐射抗扰度测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求

———9:。。

Ⅳ

GB/T429684—2024/IEC62132-42006

.:

集成电路电磁抗扰度测量

第4部分射频功率直接注入法

:

1范围

本文件规定了在传导射频骚扰存在的情况下集成电路抗扰度的测量方法例如由辐射

(RF)(IC),,

骚扰引起的传导骚扰本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性

RFRF。。

本文件为设备中的半导体器件在无用电磁波环境下工作时的评估建立公共基础

RF。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

集成电路电磁发射测量第部分传导发射测量直接耦合法

IEC61967-44:1Ω/150Ω(In-

tegratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—Part4:Measurementofconducted

emissions—1Ω/150Ωdirectcouplingmethod)

注集成电路电磁发射测量第部分传导发射测量直接耦合法

:GB/T44937.4—20244:1Ω/150Ω

(IEC61967-4:2021,IDT)

集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件和定义

IEC62132-11:(Integratedcircuits—

Measurementofelectromagneticimmunity—Part1:Generalconditionsanddefinitions)

注集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件和定义

:GB/T42968.1—20231:(IEC62132-1:2015,IDT)

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

IEC62132-1。

4通则

41测量原理

.

所需的最小电磁抗扰度电平取决于电子系统所能发射的最大骚扰电平抗扰度电平的值

ICRF。

由系统和实际应用的具体参数确定为了确定的抗扰度性能保证较高的可重复性要求测量程序

。IC,,

简便以及测量布置能够避免谐振下面给出了本试验的基本要求

,。。

中出现的最大几何尺寸来自引线框架引线框架的大小在几个厘米的范围内或更小芯片上

IC。。

的结构尺寸甚至比引线框架的尺寸小两个数量级对于以下的频率范围这种引线框架和芯片

。1GHz,

结构不会构成接收无用信号的有效天线形成有效天线的是电缆束和或印制电路板上的

RF。/(PCB)

走线通过连接到这些电缆的引脚接收无用的能量因此的电磁抗扰度可通过传导骚

,ICRF。,ICRF

扰即正向功率来表征而不用在模块和或系统试验中通常采用的场参数

(RF),/。

对于模块和系统试验可测量或估计由电缆束或印制电路板走线作为天线提供给电路的正向功率

,。

无论这种功率是否被反射或吸收都被认为是提供给电路的正向功率事实上已经观察到许多对高

,。IC

1