GB/T 42968.2-2024 集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗扰度测量TEM小室和宽带TEM小室法

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

集成电路电磁抗扰度测量

第2部分辐射抗扰度测量

:

TEM小室和宽带TEM小室法

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—

Part2Measurementofradiatedimmunit—TEMcellandwideband

:y

TEMcellmethod

IEC62132-22010IDT

(:,)

2024-10-26发布2024-10-26实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

概述

4………………………2

试验条件

5…………………3

试验设备

6…………………3

通则

6.1…………………3

电缆

6.2…………………3

骚扰源

6.3RF……………3

小室

6.4TEM……………3

小室

6.5GTEM…………………………4

终端

6.650Ω……………4

监测设备

6.7DUT………………………4

试验布置

7…………………4

通则

7.1…………………4

试验布置

7.2……………4

试验板

7.3EMC…………………………6

试验程序

8…………………6

通则

8.1…………………6

抗扰度测量

8.2…………………………6

试验报告

9…………………8

附录规范性场强特性测量程序

A()……………………9

附录资料性小室和小室描述

B()TEMGTEM………16

参考文献

……………………17

Ⅰ

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁抗扰度测量的第部分已经发布了以下

GB/T42968《》2。GB/T42968

部分

:

第部分通用条件和定义

———1:;

第部分辐射抗扰度测量小室和宽带小室法

———2:TEMTEM;

第部分射频功率直接注入法

———4:;

第部分辐射抗扰度测量带状线法

———8:IC。

本文件等同采用集成电路电磁抗扰度测量第部分辐射抗扰度测量

IEC62132-2:2010《2:

小室和宽带小室法

TEMTEM》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国汽车工程研究院股份有限公司安徽中认倍佳

:、、

科技有限公司厦门海诺达科学仪器有限公司深圳市北测标准技术服务有限公司北京智芯微电子科

、、、

技有限公司天津先进技术研究院工业和信息化部电子第五研究所中国家用电器研究院重庆邮电大

、、、、

学北京星河亿海科技有限公司浙江诺益科技有限公司中国信息通信研究院重庆仕益产品质量检测

、、、、

有限责任公司北京邮电大学东莞职业技术学院

、、。

本文件主要起草人付君崔强黄雪梅乔彦彬吴建飞方文啸朱赛亓新李旸梁吉明谢玉章

:、、、、、、、、、、、

张红升熊伟杰张艳艳周昕郑益民王雪熊璞张金玲麦强康志能陈梅双

、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

引言

为规范集成电路电磁抗扰度测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁抗扰度测量

,

方法规定了集成电路电磁抗扰度测量的通用条件定义和不同测量方法的试验程序和试

,GB/T42968、

验要求拟由个部分构成

,7。

第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁抗扰度测量的通用条件和定义

———1:。。

第部分辐射抗扰度测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽

———2:TEMTEM。TEM

带小室法的试验程序和试验要求

TEM。

第部分大电流注入法目的在于规定大电流注入法的试验程序和试验要求

———3:(BCI)。。

第部分射频功率直接注入法目的在于规定射频功率直接注入法的试验程序和试验要求

———4:。。

第部分工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序和试验要求

———5:。。

第部分辐射抗扰度测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求

———8:IC。。

第部分辐射抗扰度测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求

———9:。。

Ⅳ

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

集成电路电磁抗扰度测量

第2部分辐射抗扰度测量

:

TEM小室和宽带TEM小室法

1范围

本文件描述了集成电路对射频辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法

(IC)(RF)。

本文件适用的频率范围为或为小室和宽带小室的特性决定的频率

150kHz~1GHzTEMTEM

范围

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

国际电工术语第部分电路理论

IEC60050-131131:(InternationalElectrotechnicalVocabulary

(IEV)—Part131:Circuittheory)

注电工术语电路理论

:GB/T2900.74—2008(IEC60050-131:2002,MOD)

国际电工术语第部分电磁兼容

IEC60050-161161:(InternationalElectrotechnicalVocabulary

(IEV)—Part161:Electromagneticcompatibility)

注电工术语电磁兼容

:GB/T4365—2003(idtIEC60050-161:1990)

集成电路电磁发射测量第部分辐射发射测量小室

IEC61967-2150kHz~1GHz2:TEM

和宽带小室法

TEM(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto

1GHz—Part2:Measurementofradiatedemissions—TEMcellandwidebandTEMcellmethod)

集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件和定义

IEC62132-1:2006150kHz~1GHz1:

(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity,150kHzto1GHz—Part1:General

conditionsanddefinitions)

注集成电路电磁抗扰度测量第部分通用条件和定义

:GB/T42968.1—20231:(IEC62132-1:2015,IDT)

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

IEC62132-1、IEC60050-131、IEC60050-161。

31

.

横电磁波模transverseelectromagneticmodeTEM

();

传输方向上的电场和磁场分量比横截面上的主方向分量少得多的波导模式

。

32

.

TEM波导TEMwaveguide

开放或封闭的传输线系统电磁波在其中以波模传输以产生满足试验需要的特定场

,TEM()。

1

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

.:

33

.

TEM小室TEMcell

封闭的波导通常是一个矩形同轴线电磁波在其中以模传输以产生满足试验需要的

TEM,。TEM

特定电磁场外导体完全包围内导体

,。

34

.

双端口TEM波导two-portTEMwaveguide

在两端均有输入输出测量端口的波导

/TEM。

35

.

单端口TEM波导one-portTEMwaveguide

仅有一个输入输出测量端口的波导

/TEM。

注此类波导无端口的一端通常为宽带的传输线终端负载

:TEM。

36

.

特性阻抗characteristicimpedance

对任意的波前等相位面内导体和外导体之间的电压与内导体和外导体上的电流之比的幅值

,。

注特性阻抗与电压电流的大小无关仅与传输线的横截面尺寸有关波导的特性阻抗一般设计为特

:/,。TEM50Ω,

性阻抗为的波导通常用于瞬态试验

100ΩTEM。

37

.

吸波材料anechoicmaterial

能够吸收或者减小其所反射的电磁波能量的材料

。

38

.

宽带线路终端broadbandlinetermination

由与波导特性阻抗通常为匹配的低频分立元件负载和高频吸波材料组合而成的终端

TEM(50Ω)。

39

.

主场分量primaryfieldcomponent

()()

与试验所需极化方向一致的电场分量

。

注例如在常规双端口小室内芯板与水平面平行因此在小室横截面的中心位置主模电场矢量是

:,TEM,,TEM,

垂直的

。

310

.

次场分量secondaryfieldcomponent

()()

在笛卡尔坐标系中与主场分量垂直且相互垂直的两个场分量中的任意一个

,。

4概述

电磁兼容性能待评估的称为受试器件应安装在印制电路板上该

(EMC)IC(DUT)。DUT(PCB),

称为试验板试验板能够提供合适的测量点或监测点以便对的响应参数进行

PCBEMC。EMC,DUT

测量或监测

。

试验板固定在小室的底部或顶部的匹配端口称为壳体端口上可使用双端口小室

TEM()。TEM

或单端口小室本文件中双端口小室称为小室单端口小室称为宽带吉赫

TEM。,TEMTEM,TEM(

兹小室或小室

)TEMGTEM。

与常规用法不同试验板不放在小室内部而是作为小室壳体的一部分本方法适用于所有包含壳

,,。

体端口的小室或小室测量到的响应会受到多种因素的影响其中芯板与

TEMGTEM。DUT,EMC

试验板之间的距离是影响响应的主要因素

DUT。

注本方法使用芯板与壳体端口中心距离为的小室和小室为例进行试验

:45mm1GHzTEMGTEM。

2

GB/T429682—2024/IEC62132-22010

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试验板决定了相对于小室的几何位置和方向且避免了在小室内的任何线缆连

EMCDUT,DUT

接这些线缆布置于试验板背面位于小室外部小室有两个特性阻抗为的端口其中一个

(,)。TEM50Ω,

端口接负载另一个端口或者小室唯一的端口与信号发生器的输出端口相连注入连

50Ω,GTEMRF,

续波骚扰信号该信号会在处产生平面电磁波此电磁波产生的电场强度由注入骚扰信号

(CW),DUT,

的电压以及与小室芯板的距离决定它们之间的关系见公式

DUT。(1):

E=Vh

/…………(1)

式中

:

E小室中的电场强度单位为伏每米

———,