• GB/T 48179-2026 集成电路电子设计自动化工具术语 即将实施
    译:GB/T 48179-2026 Terminology for integrated circuit electronic design automation tools
    适用范围:本文件界定了集成电路电子设计自动化工具的基础术语、设计术语、工艺术语、制造术语和封装术语。 本文件适用于集成电路电子设计自动化工具的设计和应用,也适用于集成电路电子设计自动化工具的科研、教学和出版工作。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 15879.613-2026 半导体器件的机械标准化 第6-13部分:密节距焊球阵列封装(FBGA)和密节距焊盘阵列封装(FLGA)顶部开放式插座的设计指南 即将实施
    译:GB/T 15879.613-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-13:Design guideline of open-top-type sockets for Fine-pitch Ball Grid Array( FBGA) and Fine-pitch Land Grid Array( FLGA)
    适用范围:本文件提供了密节距焊球阵列封装(FBGA)和密节距焊盘阵列封装(FLGA)顶部开放式插座的设计指南,同时规定了FBGA和FLGA 器件测试和老化用顶部开放式插座的外形图和尺寸。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/Z 255-2026 类脑计算 神经拟态芯片计算能力测试方法 现行
    译:GB/Z 255-2026 Brain-inspired computing—Computing capability test method for neuromorphic chips
    适用范围:本文件描述了用于类脑计算的神经拟态芯片计算能力的测试方法,包括测试对象、测试环境、测试系统及测试步骤,规定了测试报告的要求。 本文件适用于神经拟态芯片的计算能力测试,包括研发测试、产品质量验收测试以及第三方测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :35.020信息技术(IT)综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-27 | 实施时间: -
  • GB/T 42709.22-2026 半导体器件 微电子机械器件 第22部分:柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法 即将实施
    译:GB/T 42709.22-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 22:Electromechanical tensile test method for conductive thin films on flexible substrates
    适用范围:本文件描述了用于测量非导电柔性衬底上导电微机电系统(MEMS)材料机电性能的拉伸测试方法。 柔性衬底上的导电薄膜结构广泛应用于MEMS、消费产品和柔性电子器件中。由于界面相互作用,柔性基底上薄膜的电学特性不同于悬空薄膜和衬底材料。柔性衬底和薄膜的不同组合通常会对测试结果产生不同的影响,具体取决于测试条件和界面黏附力。MEMS薄膜材料的理想厚度是柔性衬底厚度的1/50,所有其他尺寸都相似。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.12-2026 半导体器件 微电子机械器件  第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法 即将实施
    译:GB/T 42709.12-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 12:Bending fatigue testing method of thin film materials using resonant vibration of MEMS structures
    适用范围:本文件描述了采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳的试验方法,采用长度和宽度尺寸都在10 μm~1 000 μm,厚度在1 μm~100 μm 的谐振微结构,适用于长度和宽度都小于1 mm,厚度为0.1 μm~10 μm的薄膜材料的弯曲疲劳试验。 用于MEMS的主要结构的薄膜材料常具有微米级的典型尺寸,采用沉积工艺生长,通过光刻等非机械方式加工。通常MEMS结构比非MEMS结构具有更高的固有谐振频率和强度,为了评估和确认MEMS结构的寿命,需加载高至10 12次的载荷周期来进行疲劳试验。本文件规定的试验方法,通过高载荷和高频弯曲应力的谐振,在短时间里评估微观尺度材料的机械疲劳特性。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.38-2026 半导体器件 微电子机械器件 第38部分:MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 即将实施
    译:GB/T 42709.38-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 38:Test method for adhesion strength of metal powder paste in MEMS interconnection
    适用范围:本文件描述了MEMS器件与电路板间电气互连中金属粉末膏体粘附强度的测试方法。金属粉末膏体的典型示例包括各向异性导电膏、焊膏和纳米级金属油墨。本文件适用于金属粉末直径范围为10 μm~500 μm的各类金属粉末膏体。 本文件通过模拟实际MEMS器件的玻璃透镜对金属粉末膏体施加单轴压缩载荷,随后通过透镜回撤过程施加载荷的方式测量其粘附强度。本文件适用于考虑MEMS器件与金属粉末颗粒间实际接触面积的粘附强度分析场景。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.36-2026 半导体器件 微电子机械器件 第36部分:MEMS压电薄膜的环境及介电耐压试验方法 即将实施
    译:GB/T 42709.36-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 36:Environmental and dielectric withstand test methods for MEMS piezoelectric thin films
    适用范围:本文件描述了评估MEMS压电薄膜材料在温度、湿度环境应力和电应力条件下的耐受试验方法,以及进行质量评估的试验条件,即规定了在温度、湿度和外加电压条件下评价试验器件耐久性的试验方法和试验条件。主要应用于硅基上形成的压电薄膜(即用作执行器的压电薄膜)的逆压电性能的评价。 本文件不包括可靠性评估,如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.8-2026 半导体器件 微电子机械器件 第8部分:带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 即将实施
    译:GB/T 42709.8-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 8:Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
    适用范围:本文件描述了用于测量带状薄膜拉伸特性的弯曲试验方法,与常规拉伸测试相比,该方法操作难度适中,具有精度高和可重复的优点。本方法适用于厚度在50 nm到几微米(μm)之间,且长度和厚度的比值大于300的试样。 在微机电系统(MEMS)中,两个固定支点之间的悬空带状薄膜(或梁)被广泛采用。与制造传统的拉伸试样相比,制造这种带状薄膜样品比较容易,且测试过程简单,很容易实现自动化。本文件能用于MEMS生产过程中的质量控制测试,与传统拉伸测试相比,其测试效率更高。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 15879.620-2026 半导体器件的机械标准化 第6-20部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 小外形J形引线封装(SOJ)尺寸测量方法 即将实施
    译:GB/T 15879.620-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-20:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Measuring methods for package dimensions of small outline J-lead packages(SOJ)
    适用范围:本文件描述了符合IEC 60191-4封装外形的分类形式E中小外形J形引线封装(SOJ)的尺寸测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.35-2026 半导体器件 微电子机械器件 第35部分:柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 即将实施
    译:GB/T 42709.35-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 35:Test method of electrical characteristics under bending deformation for flexible electro-mechanical devices
    适用范围:本文件描述了柔性MEMS器件在弯曲形变下的电特性测试方法,包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源和(或)有源器件。 本文件适用的器件的水平尺寸典型范围为1 mm~300 mm,垂直尺寸典型范围为10 μm~1 mm,但这并不是被测器件的极限值。本测试方法是将器件以准静态的方式单向弯曲直至达到最大可能曲率,即器件完全弯折,以获得器件在弯曲变形下电特性的全部损耗特性。本文件对器件在一定弯曲变形下的安全性评价,以及对使用这些器件的产品的可靠性设计有重要意义。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 20870.3-2026 半导体器件 第16-3部分:微波集成电路 变频器 即将实施
    译:GB/T 20870.3-2026 Semiconductor devices—Part 16-3:Microwave integrated circuits—Frequency converters
    适用范围:本文件规定了微波集成电路变频器的基本额定值和特性,描述了测试方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.6-2026 半导体器件 微电子机械器件 第6部分:薄膜材料轴向疲劳试验方法 即将实施
    译:GB/T 42709.6-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 6:Axial fatigue testing methods of thin film materials
    适用范围:本文件描述了长度、宽度尺寸均小于1 mm,且厚度尺寸在0.1 μm~10 μm之间的薄膜材料在恒定力范围或者恒定位移范围内的轴向拉伸疲劳试验方法。薄膜是微机电系统(MEMS)和微机械的主要结构材料。 用于MEMS、微机械等的主要结构材料具有特殊特征,例如微米级的典型尺寸,采用沉积工艺制造材料,通过非机械方式(包括光刻)加工试样。本文件描述了微型光滑试样的轴向力疲劳试验方法,该方法能保证与特殊特征相对应的精度。试验在室温、空气中进行,载荷沿试样的纵轴加载。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 15879.618-2026 半导体器件的机械标准化 第6-18部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列封装(BGA)的设计指南 即将实施
    译:GB/T 15879.618-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-18:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Design guide for ball grid array(BGA)
    适用范围:本文件提供了引出端节距大于或等于1.00 mm且外形为方形的焊球阵列封装标准外形图、尺寸及推荐值。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 43536.3-2026 三维集成电路 第3部分:硅通孔模型及测试方法 即将实施
    译:GB/T 43536.3-2026 Three dimensional integrated circuits—Part 3:Model and measurement methods of through-silicon via
    适用范围:本文件规定了进行数字信号收发的硅通孔(TSV)的电气特性参考模型,用于三维集成电路(3D IC)接口设计,并描述了3D IC中表征TSV特性的电阻和电容的测试方法。 适用于本文件的三维集成电路如下: ——应用:数字消费和移动设备; ——工作电压:0.1 V~5.0 V; ——工作频率:小于2.0 GHz。 本文件不适用于测试设备。图1是一个多芯片互连系统的典型示例,用于后续规范的说明。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.40-2026 半导体器件 微电子机械器件 第40部分:MEMS惯性冲击开关阈值测试方法 即将实施
    译:GB/T 42709.40-2026 Semiconductor devices—Micro⁃electromechanical devices—Part 40:Test methods of MEMS inertial shock switch threshold
    适用范围:本文件描述了MEMS惯性冲击开关阈值的测试条件和测试方法。 本文件适用于常开型MEMS惯性冲击开关。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 42709.21-2026 半导体器件 微电子机械器件 第21部分:MEMS薄膜材料泊松比测试方法 即将实施
    译:GB/T 42709.21-2026 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 21:Test method for Poisson’s ratio of thin film MEMS materials
    适用范围:本文件描述了通过对微电子机械系统(MEMS)薄膜材料施加单轴和双轴载荷以测试和计算泊松比的方法。 本文件适用于长度和宽度小于10 mm、厚度小于10 μm的MEMS薄膜材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 15879.603-2026 半导体器件的机械标准化 第6-3部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法 即将实施
    译:GB/T 15879.603-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-3:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Measuring methods for package dimensions of quad flat packs(QFP)
    适用范围:本文件描述了封装外形分类形式E中的四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47753-2026 微机电系统(MEMS)技术 车规级MEMS半导体气体传感器技术规范 即将实施
    译:GB/T 47753-2026 Micro-electro mechanical systems(MEMS) technology—Technical specification of automotive MEMS semiconductor gas sensor
    适用范围:本文件规定了车规级MEMS半导体气体传感器的分类、基本参数、性能要求、试验方法。 本文件适用于采用MEMS工艺制作的车规级MEMS半导体气体传感器的设计、生产和检验。包括车内/外空气质量传感器、车载人体呼出气体传感器、汽车尾气传感器、新能源车动力安全气体传感器(如车用动力电池安全气体传感器和燃料电池车安全气体传感器)等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47767-2026 微机电系统(MEMS)技术 压电微悬臂梁机电转换特性的测试方法 即将实施
    译:GB/T 47767-2026 Micro-electromechanical systems technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of piezoelectric MEMS cantilever
    适用范围:微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构,为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试,适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47752-2026 微机电系统(MEMS)技术 柔性微机电器件循环弯曲变形后电气特性测试方法 即将实施
    译:GB/T 47752-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Test method of electrical characteristics after cyclic bending deformation for flexible micro-electromechanical devices
    适用范围:本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm~300 mm,厚度通常为10 μm~1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图(三维P-S-N图),在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01