GB/T 20870.3-2026 半导体器件 第16-3部分：微波集成电路 变频器

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T208703—2026/IEC60747-16-32017

.:

半导体器件

第16-3部分微波集成电路变频器

:

Semiconductordevices—

Part16-3Microwaveinteratedcircuits—Freuencconverters

:gqy

IEC60747-16-32017IDT

(:,)

2026-07-30发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T208703—2026/IEC60747-16-32017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………3

基本额定值和特性

5………………………3

通则

5.1…………………3

应用说明

5.2……………4

功能规定

5.3……………5

极限值绝对最大额定值体系

5.4()……………………6

工作条件在规定的工作温度范围内

5.5()……………7

电特性

5.6………………8

机械和环境额定值特征和数据

5.7、……………………9

附加信息适用时

5.8()…………………9

测试方法

6…………………10

通则

6.1…………………10

变频增益G

6.2(C)……………………10

变频增益平坦度G

6.3(ΔC)……………12

本振端中频端隔离度PP

6.4/[LO/LO(IF)]……………14

本振端射频端隔离度PP

6.5/[LO/LO(RF)]……………15

射频端中频端中频端射频端隔离度

6.6/、/…………17

镜像抑制度PP

6.7[O/O(im)]…………20

边带抑制度PP

6.8[O/O(U)]……………21

输出功率P

6.9(O)……………………23

变频压缩输出功率P

6.101dB[O(1dB)]………………24

噪声系数

6.11(NF)……………………25

交调失真PP

6.12(n/1)………………27

交调截获点输出功率P

6.13[n(IP)]……………………28

本振端回波损耗L

6.14[ret(LO)]………………………29

射频端回波损耗L

6.15[ret(RF)]………………………31

中频端回波损耗L

6.16[ret(IF)]…………32

参考文献

……………………34

Ⅰ

GB/T208703—2026/IEC60747-16-32017

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件的第部分已经发布了以下部分

GB/T20870《》3。GB/T20870:

第部分微波集成电路放大器

———16-1:;

第部分微波集成电路预分频器

———16-2:;

第部分微波集成电路变频器

———16-3:;

第部分微波集成电路开关

———16-4:;

第部分微波集成电路振荡器

———16-5:;

第部分微波集成电路倍频器

———16-6:;

第部分微波集成电路衰减器

———16-7:;

第部分单片微波集成电路技术可接收程序

———16-10:。

本文件等同采用半导体器件第部分微波集成电路变频器

IEC60747-16-3:2017《16-3:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

增加了表的编号和表编号的提及

———。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中电国基北方有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所天津大学河北北

:、、、

芯半导体科技有限公司西安电子科技大学中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区河北科技大学

、、、、

石家庄铁路职业技术学院河北新华北集成电路有限公司合肥芯谷微电子股份有限公司苏州莱尔微

、、、

波技术有限公司成都西科微波通信有限公司深圳市恒运昌真空技术股份有限公司深圳雅玛西科技

、、、

股份有限公司广州新创航宇电子科技有限公司青岛青软晶尊微电子科技有限公司中国电子技术标

、、、

准化研究院博瑞集信西安电子科技股份有限公司北京中成康富科技股份有限公司深圳市三一联

、()、、

光智能设备股份有限公司

。

本文件主要起草人迟雷桂明洋赵宇洋吴小帅朴立华彭浩席善斌胡松祥陈亚洲司子恒

:、、、、、、、、、、

焦龙飞安伟刘涛高忠科马超王冲郑雪峰党伟东杨洁贾林胡小锋陈龙坡张文华陈昱宇

、、、、、、、、、、、、、、

谷亚敏刘芳白文斌陈浩祥任晓伟马康健刘牧荑黄军恒汪轶辜霄赖鹏乐卫平成伟龚震

、、、、、、、、、、、、、、

张侠齐筱张博张雪冯白华

、、、、。

Ⅲ

GB/T208703—2026/IEC60747-16-32017

.:

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品为电子系统中的最基本单元半

,。GB/T20870《

导体器件为微波集成电路产品系列标准是微波集成电路进行研制生产和检验的基础性和通用性标

》,

准对于评价和考核微波集成电路的质量和可靠性起着重要作用拟由个部分构成

,,11。

第部分微波集成电路放大器目的在于规定微波集成电路放大器的术语基本额定

———16-1:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路预分频器目的在于规定微波集成电路预分频器的术语字母

———16-2:。、

符号基本额定值特性以及测试方法

、、。

第部分微波集成电路变频器目的在于规定微波集成电路变频器的术语基本额定

———16-3:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路开关目的在于规定微波集成电路开关的术语基本额定值特

———16-4:。、、

性以及测试方法

。

第部分微波集成电路振荡器目的在于规定微波集成电路振荡器的术语基本额定

———16-5:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路倍频器目的在于规定微波集成电路倍频器的术语基本额定

———16-6:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路衰减器目的在于规定微波集成电路衰减器的术语基本额定

———16-7:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路限幅器目的在于规定微波集成电路限幅器的术语基本额定

———16-8:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路移相器目的在于规定微波集成电路移相器的术语基本额定

———16-9:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分单片微波集成电路技术可接收程序目的在于规定单片微波集成电路的设计

———16-10:。、

制造和交付的术语定义符号质量体系测试评价验证方法以及其他要求

、、、、、、。

第部分微波集成电路功率检波器目的在于规定微波集成电路功率检波器的术语

———16-11:。、

基本额定值特性以及测试方法

、。

通过制定该系列标准统一微波集成电路产品的术语定义基本额定值和特性测试方法对微波集

,、、,

成电路的研究生产检验和使用具有重要意义同时补充完善半导体集成电路标准体系为微波集成电

、、,,

路行业的发展起到指导作用

。

Ⅳ

GB/T208703—2026/IEC60747-16-32017

.:

半导体器件

第16-3部分微波集成电路变频器

:

1范围

本文件规定了微波集成电路变频器的基本额定值和特性描述了测试方法

,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件总则

GB/T17573—2026(IEC60747-1:2006,IDT)

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

IEC60748-2:19972:(Semiconductordevices—

Integratedcircuits—Part2:Digitalintegratedcircuits)

注半导体器件集成电路第部分数字集成电路

:GB/T17574—19982:(IEC748-2:1985,IDT)

半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

IEC60748-33:(Semiconductordevices—Inte-

gratedcircuits—Part3:Analogueintegratedcircuits)

注半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

:GB/T17940—20003:(IEC748-3:1986,IDT)

半导体器件集成电路第部分接口集成电路

IEC60748-44:(Semiconductordevices—Inte-

gratedcircuits—Part4:Interfaceintegratedcircuits)

静电学第部分电子器件的静电防护通用要求

IEC61340-5-15-1:(Electrostatics—Part5-1:

Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena—Generalrequirements)

注静电学第部分电子器件的静电防护通用要求

:GB/T37977.51—20235-1:(IEC61340-5-1:2016,IDT)

静电学第部分电子器件的静电防护用户指南

IECTR61340-5-25-2:(Electrostatics—Part

5-2:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena—Userguide)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

变频增益conversiongain

G

C

经变频得到的期望输出功率与输入功率的比值

。

注通常变频增益以分贝表示

:,(dB)。

32

.

变频增益平坦度conversiongainflatness

G

ΔC

在规定的频率范围和规定的输入功率条件下变频增益最大值和最小值的差值

,。

1